MOS管学习笔记

最新推荐文章于 2022-10-18 17:34:18 发布
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分类专栏： Hardware
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MOS管学习笔记

　　　　最近在做一个小的电路设计项目，其中遇到了MOS管，经过查询资料，多年遗忘的数电、模电渐渐又浮现在我的脑海，在百度文库找到一篇比较不错的文章，把它截图使用出来，如原稿作者看到感觉侵权，请及时联系我，以便我做处理，谢谢！

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

posted on 2018-08-21 07:44 skyfall007 阅读(...) 评论(...) 编辑 收藏

zxy131072
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MOS管随笔记
01-06
MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，  S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道...
MOS管如何拆装？
01-20
枪温度调试，把风枪调到 320 度，风速 1 档，MOS 管属于小型玻璃管 ， 容易夹裂，所以在拆的时候一定要小心 ， 撬的时候用力一定轻 ， 要顾及周围的元器件不能碰到 ， 如果有带胶的芯片需要避开 ， 吹的过程中风枪不...
MOSFET的雪崩失效
ltqdxl的博客
04-10 4950
MOSFET的失效机理 本文的关键要点 ・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。 ・ 发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。 ・ MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。 什么是雪崩击穿 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击
MOS管学习
weixin_42725860的博客
04-03 2032
因为之前应用到MOS发现自己对MOS管的认识还不够，所以清明假期的时候自己重新学习了MOS管.接下来我给大家总结并谈一谈我对MOS管的知识总结。 MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体。 图是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏
MOS管的原理及其米勒效应（学习笔记）
weixin_53175172的博客
10-18 5163
开关电源、N沟道MOS、米勒效应。
MOS管基础知识
sally的jerry
12-10 8710
参考： 记得诚电子设计 0. 概述 0.1 MOS管的分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型，MOSFET应用广泛，结型管（JFET）几乎不用，MOSFET一般称MOS管。 MOSFET有增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类，增强型和耗尽型每一类下面都有NMOS和PMOS。 一般主板上使用最多的是增强型的MOS管，NMOS最多，一般用在信号控制方面；其次是PMOS，PMOS用在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。 0.2 增强型中NMOS与PMOS的区分
元器件学习（2）：MOS管
Chrstian的博客
05-12 3180
MOS管学习。
关于MOS管那些事儿
01-20
MOS 管学名是场效应管，是金属 - 氧化物 - 半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。　其结构示意图：　解释 1：沟道　上面图中，下边的 p 型中间一个窄...
MOS管驱动电路总结
07-07
MOS管驱动电路总结以及低压mos和高压mos详解以及mos驱动电路应用场合，对于新手学习有很大的帮助，也是笔者在工作中学习的经验，分享给大家，还希望大家多多支持！
MOS管的基本参数
01-20
MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 　上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升...
MOS管原理讲解，非常详细
07-20
MOS管原理讲解，非常详细MOS管原理讲解，非常详细MOS管原理讲解，非常详细MOS管原理讲解，非常详细
非常详细的MOS管讲义
07-16
该文档详细介绍了MOS管的原理、结构、使用方法和注意事项，并附带了使用的范例电路，值得保存
MOS管工作原理讲解
05-13
使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
mos管的米勒效应
12-19
详细描述了MOS管的米勒效应，以及米勒效应的危害 。。。。
功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf
09-14
功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因，以及 MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET 发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
索尼IMX219图像传感器
热门推荐
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10-31 1万+
产品名称 索尼IMX219图像传感器 生产厂家 深圳市泰合辉电子科技有限公司 价格 面议 规格参数 品牌:SONY|型号:IMX219|: 公司地址 深圳市龙华新区民治街道民治大道横岭皇嘉商业广场B50...
六合一多功能串口模块
嵌入式
11-22 8295
介绍：   最近在做串口的测试的相关内容，需要不断地更换测试模块，一直想买一个模块，今天总算买了这款六合一的串口转换模块，本模块的实物图片如下。   正面：     背面：         功能及产品特点     1、超小体积。电路板仅3.1cm X 1.8cm。超小的体积，不足一个 U盘大小，仅占用一个 USB插口的宽度，即使是那些两个USB口距离非常紧的笔记本...
串口接口简单分析
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11-13 3902
          COM口即串行通讯端口，简称串口。这里需要区别于USB的“通用串行总线”和硬盘的“SATA”。一般我们见到的是两种物理标准。D型9针插头和自己自定义的端子接口。这个是D型9针串口(通俗说法)，在一些台式电脑后边都可以看到。记住，这种接口的协议只有两种：RS-232和RS-485。不会是TTL电平的(除非特殊应用)。我们一般只接出RXD TXD两针，外加GND。   RS23...
mos管coss参数
最新发布
09-09
MOS管的COSS参数是指在小信号模型中，输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反射电容（Crss）之间的关系。 Coss代表输出电容，它是指MOS管输出极和衬底之间的电容。当MOS管工作在开关状态时，输出电容扮演着重要的...

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