前言 载流子输运就是求电流密度相关。 目录 前言 平均自由时间 & 散射概率 平均自由时间 & 迁移率 平均自由时间 & 电导率 迁移率-温度关系 电阻率-温度关系 轻掺杂时 1 0 16 − 1 0 18 c m − 3 10^{16}-10^{18} \;\;cm^{-3} 1016−1018cm−3 重掺杂时 N > 1 0 18 c m − 3 N>10^{18}\;\; cm^{-3} N>1018cm−3 饱和速度 什么是热载流子 欧姆定律的偏离 载流子和晶格振动 GaAs砷化镓的漂移速度-电场 耿式效应 多能谷散射 负阻效应 \; \;
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本文详细探讨了半导体器件中的载流子输运现象，包括平均自由时间、散射概率、迁移率和电阻率的关系。重点讨论了在不同掺杂浓度和温度下的变化规律，并以砷化镓（GaAs）为例，阐述了欧姆定律的偏离、热载流子效应以及多能谷散射导致的负阻效应。内容深入浅出，适合半导体物理爱好者和相关专业读者。
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