【N-MOS】N-mos(场效应管)驱动电路分析

目录

1、MOS管分类

2、MOS管导通原理

3、电路分析

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关键词：N-MOS

1、MOS管分类

MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管。FET是场效应管。合在一起是金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
MOS管分为N沟道和P沟道，又可分为增强型和耗尽型

(在实际应用中，一般都是增强型MOS管居多，因此这里不介绍耗尽型MOS管。)

2、MOS管导通原理

NMOS管是压控型器件，其栅极（G极）与源极（S极）之间的电压VGS大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通。当VGS电压小于开启电压时，内部沟道截止。VGS电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小。需要注意的是，VGS电压不能超过芯片允许的极限电压。NMOS管一般作为低端驱动器件，源级S接地。所以，NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差（G电位比S电位高）。

这里的开启电压需要在数据手册查找不同的芯片对应不同的电压值

NMOS管

NMOS管也是压控型器件，其栅极（G极）与源极（S极）之间的电压VGS大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通。当VGS电压小于开启电压时，内部沟道截止。

当NMOS管的门极（G极）接收到一个高电平时，它相当于一个电阻，将电流引入通道中，从而产生电路通路。此时，内部沟道在场强的作用下导通，电流可以从源级（S极）流向漏级（D极）。

相反，当门极（G极）接收到一个低电平时，NMOS管相当于一个断开开关，将内部沟道关闭，从而中断电路。此时，没有电流可以从源级（S极）流向漏级（D极）。

3、电路分析

此电路主要是通过的单片机的引脚去控制n-mos从而控制外设（本文外设采用的是风扇）的电路，此电路只学习使用如有问题请及时指出，下面具体分析一下，首先R7电阻既可以限流防止单片机引脚电流过大，同时也是可以分压，所以在开关电压设计的过程中不能使用太大的电阻，这里采用的是200Ω

从这个数据手册的图上可以看出VGS的电压可以采用2.5V即可，在我们的S端已经接地的情况下，我们只需要考虑G端的电压值即可，同时使用R12作为下拉电阻，防止在不受单片机控制下的情况电压不稳地，采用此电阻可以有效的解决这个问题。

这里的VIN的输入电压是输入的电压，这里根据数据手册最好是20V以下的电压，同时也因为VGS我们只能做到2.5V的压差，所以IDS的电流只能达到20A,不过这些参数肯定是够我们使用的了。

在下面二极管，因为是感性器件，所以需要用1N4007续流二极管。这里的作用是：续流二极管并联在感性负载两端，并且极性是反向的，即在正常工作时，二极管是反向偏置的，不导电。当电源切断，感应反电动势产生时，续流二极管会因为反电动势而正向偏置，导通。这样，感应产生的电流就可以通过续流二极管形成一个闭合回路，电流得以继续流动并逐渐衰减，从而避免了高电压尖峰的产生。

这里的H1就是风扇的接口，这里不做讲解。