抗量子半导体

抗量子半导体的开发现状

抗量子半导体开发是当今科技领域的一个新兴且重要的研究方向。随着量子计算技术的不断发展，量子计算机对传统计算和安全体系构成了潜在威胁，因此抗量子半导体开发成为应对这一威胁的关键环节。

目前，全球范围内对于抗量子半导体的开发尚处于积极探索的阶段。一些发达国家如美国在这方面投入了大量的资源进行研究和开发。美国在2016年2月于日本福冈举行的第七届后量子密码国际会议上就公布了PQC标准化工作时间表，在这一时间表的指引下，其对抗量子相关技术的研究逐步推进，包括对可能应用于抗量子半导体中的算法等相关研究，如NIST经过多轮严格筛选，最终于2023年8月公布三种算法（CRYSTALS - Khyber、CRYSTALSDilithium和SPHINCX+）的标准草案，而这些成果也有可能成为抗量子半导体构建安全策略时可运用的算法基础。

亚洲的国家也不甘落后，中国在抗量子半导体开发领域取得了显著的成果。例如中国的本源量子计算科技（合肥）有限公司研发了可应用于中国第三代自主超导量子计算机“本源悟空”的PQC（后量子密码）混合加密方法，这相当于是一种为超导量子计算机提供抗量子攻击的护盾，于2024年4月10日装备成功，这一举措不仅标志着中国自主超导量子计算机在量子计算领域可以“攻守兼备”，同时也是中国在数据安全新技术应用上的一次成功探索，从侧面反映出中国在抗量子相关技术开发已达到了一定水平，并且能投入实际应用。此外，合肥的研发团队在2023年8月成功研制出第一代商业级半导体量子芯片电路载板，该载板最大可支持6比特半导体量子芯片的封装和测试需求，填补了国内的空白并且打破国际技术壁垒，说明中国在半导体量子芯片能够有效地进行运算的基础性设施构建上取得了进步，如果想要达到抗量子需求，必然需要芯片能够强力的运算支持的背景下，这一成果对于抗量子半导体开发意义深远。

不过，虽然取得了进展，整个抗量子半导体开发领域依然面临着诸多挑战。一方面，要真正实现大规模和通用的抗量子半导体价值体系，在硬件制造和设计上还需要大大的优化和创新，像如何将抗量子算法和密码保护有效的融合进半导体的架构中有很多有待解决的问题。另一方面，从全球来看相关的研究成果兴起时间不久，对于整个产业的带动还未完全发挥，大部分还停留在实验室和初级的产品化阶段。

而在半导体用于量子相关技术的开发上已经有一些成果。以德国为例，德国维尔茨堡 - 德累斯顿卓越集群ct.qmat 团队的理论和实验物理学家开发出一种由铝镓砷制成的半导体器件，首次在半导体材料中实现了微观尺度的拓扑趋肤效应，该效应使得量子半导体上不同触点之间的所有电流都不受杂质或其他外部扰动的影响，不但可以制造出新型高性能量子器件，并且因为其对杂质不敏感性从而有可能对在抗干扰能力方面提出特殊要求的抗量子半导体开发或设计有所启发。

总之，抗量子半导体开发处于一个逐渐上升发展的阶段，虽然有许多技术成果的积累和一些成功应用的例子，但距离完全成熟仍然有较长的路要走。

抗量子半导体开发的技术难点

抗量子半导体开发可谓是面临着多重的技术难点：

一、量子特性的利用与控制

1. 量子态的保持与调控 在半导体的微观尺度下要实现抗量子性，需要利用和控制量子态，但量子态是十分脆弱的。例如量子比特（qubit）可以同时存在于多种状态（叠加态），而且量子比特之间还可能存在量子纠缠现象。要在半导体这种材料体系里可靠地制备、操纵和读取量子态是极其困难的。在实际操作中，外界环境哪怕是一个极其微小的干扰，比如微弱的电磁场、温度的微小波动都可能导致量子态的坍缩，进而影响半导体与量子技术相结合所需要达成的运算和存储性能。像早期在量子计算的一些实验里，科学家们尝试在各种材料（包括半导体）中实现稳定的多量子比特纠缠态，但是由于环境干扰因素过多，常常需要在超低温（接近绝对零度）、超低噪声等极端实验条件下才能勉强保障量子态相对稳定，而如果将其放到常规的半导体工作环境中去实现同样难度会呈指数级上升。
2. 量子退相干的克服 量子退相干是指量子系统与周围环境相互作用后导致量子相干性的衰减或消失的现象。对于抗量子半导体来说，这是一个巨大的挑战。因为如果量子特性在半导体材料中发展成为抗量子计算或者加密的关键体系环节，而退相干现象使得系统在非常短的时间内就失去了量子性，其影响从计算角度来看就无法利用量子特性来实现快速、高效的计算，从抗量子加密角度就无法达到长寿命密钥等密码学上足够安全的需求。为了对抗量子退相干，需要发展高精度的量子态调控技术，以及设计特殊的半导体结构或者采用特殊的材料组成来减缓退相干速度，然而截至目前并没有一套完整成熟的方法来从根本上杜绝量子退相干在半导体中的影响。

二、工艺集成底线
4. 纳米级制造工艺要求 随着半导体技术朝更小的纳米尺度发展，制造工艺变得越来越精密和复杂。现行高端的半导体芯片制造已经发展到了5nm甚至3nm工艺水平，在抗量子半导体开发时这个制造尺度甚至要求更极致。因为从量子效应角度来看，在极小的尺度下&