速通刻蚀机：重要性堪比光刻机，中国已经100%自控？

在半导体制造设备中，投资最大的设备是什么？你可能第一时间想到的是光刻机。但实际上，如果你要开一家集成电路公司，生产设备上的采购大头其实是刻蚀机。目前，这个设备的重要性已经堪比光刻机，甚至在未来将扮演更关键的角色。本篇文章将为你详细介绍半导体刻蚀机的作用、技术原理以及中国在这一领域的进展。

刻蚀机的作用

在晶圆的前道工艺中，有三大设备最为关键：薄膜沉积设备、光刻机和刻蚀机。这三个设备相辅相成，紧密配合。在晶圆的硅衬底上用薄膜设备沉积上二氧化硅层后，我们需要让它按照电路设计显现出相应的图形。这时便需要涂上光刻胶，并用光刻机将图案打印上去。光刻胶经过曝光后显现出图形，接下来便需要对二氧化硅层进行刻蚀，让这个图形具体为电路上的沟槽。这时，刻蚀机登场，将没有光刻胶保护的二氧化硅刻蚀掉，最终得到一个硬性的图案。

当然，实际生产过程中，刻蚀的不仅是二氧化硅，还包括氮化硅、多晶硅、金属层和低介电常数材料等。各种材料按照电路设计被逐层刻蚀，最终形成完整的芯片结构。

刻蚀机的技术原理

刻蚀技术主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀通过腐蚀性化学试剂来刻蚀目标材料，如针对氧化硅层常用氢氟酸。然而，随着集成电路朝高密度发展，湿法刻蚀在关键层工艺中逐渐显现出局限性，如线宽控制和刻蚀方向性难以掌控。因此，大约在三微米工艺后，干法刻蚀逐步应用。

干法刻蚀整体分为化学腐蚀和物理建设两大类。目前最主流的工艺是将两者结合使用的等离子体刻蚀。根据等离子体的产生与控制方式不同，进一步分为电容耦合等离子体（ICP）和感应耦合等离子体（RIE）。用于刻蚀的气体一般是氟化物、氯化物和氧气等，经过电离产生复杂的等离子体成分，包括自由电子、离子、自由基和中性粒子等。

等离子体刻蚀

等离子体刻蚀是利用高能离子在电场作用下加速撞击晶圆表面，引起物理建设，逐个打出原子。同时，自由基和中性粒子通过化学反应刻蚀晶圆表面，生成挥发性产物并被真空泵抽出。干法刻蚀的优势在于精度高、具有各向异性和高选择比，可以刻画细线条、方向性强且精准剔除不必要的材料。

原子层刻蚀（ALE）

随着集成电路进一步微缩和三维结构复杂化，等离子体刻蚀也面临一定瓶颈，如刻蚀速率差异和下层材料损伤等问题。为解决这些问题，原子层刻蚀技术（ALE）逐渐兴起。ALE的原理是改性加去除，通过两个步骤实现高精度刻蚀：首先引入氯气吸附于氧化硅表面形成氯化层，清除过量氯气后引入离子轰击氯化层。每次只去除一层原子，精度极高。

中国在刻蚀机领域的进展

刻蚀机的技术原理虽然相对简单，但提升刻蚀效率，如刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差和选择比等，依然是巨大的挑战。刻蚀环节作为前道工序的三大工艺之一，其重要性不亚于光刻机。

目前全球刻蚀机市场的前三大厂商是泛林半导体、应用材料和东京电子，这些厂商在硅刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀等多种类型上有深厚技术沉淀。然而，中国大陆的中微公司和北方华创已崛起。中微公司的刻蚀机在多个方面达到了国际水准，并被采购用于5nm产线。中微董事长尹志尧表示，到2024年夏天，中微基本可做到自主可控，标志着中国在半导体刻蚀机领域从0到1的阶段性突破。

刻蚀机的重要性与未来展望

随着7nm、5nm和3nm顶级先进制程的普及，刻蚀机的需求量巨大。先进制程需要多重曝光技术保证晶体管缩放，掩模板数量大幅增加，刻蚀次数也随之增加。在65nm制程下，刻蚀次数约为20次，而5nm制程下则达到150次。因此，刻蚀机在半导体制造中的角色越来越重要，尤其在未来，随着晶体管结构朝更加复杂的三维结构发展，刻蚀机的重要性将愈加显现。

总之，刻蚀机作为晶圆加工中最大的设备支出之一，具有广阔前景。中国国产刻蚀机在国际市场上的崛起，将逐步渗透更多的一线客户，进一步推动全球半导体行业的发展。