120W costdown版本上一板单体Q2温度只有90度,后面因为初级侧电容电感变更,重新lay板,次级侧的位置也稍微改动了一下,把MOS的吸收回路放在了反面,次级侧就改动了这一点,但是Q2温度就比原来高了10度。
分析了MOS本身,散热,效率,吸收电容电阻放到上面,都没有任何效果。也看了MOS的Vds电压,工作频率,甚至死区时间,都没发现问题,新旧版本都差不多。
这个问题尚未解决,待重新lay板还原为原来的布局,看看温度会不会降下来!
重新lay板后,加了小板,Q2还在主板上,不加散热胶的话是100度,加了散热胶是94度左右!
问题:次级MOS重新lay板之后,温度比原来高了10度
于 2022-10-14 13:57:07 首次发布