之前做充电器都没处理过环路的问题,因为协议IC厂家已经把环路调好了,在协议IC到光耦的反馈回路上的参数是厂商计算好了给到我们,所以我们不用解决这个问题,或者meicy简单沟通验证一下就完成了这一块。
环路的参数会影响输出纹波,一次侧OCP,上升时间下降时间,CC/CV/待机功耗 /LPS/动态电压,工作频率,Phase gain调的不好,相应的结果会变差。
- 所有輸出電壓, 電流條件下Phase/gain 餘量, 是否都滿足50C/10dB 以上. 做成報告.
- 改變了回授, 檢查是否改變了各個負載下的工作頻率? 改變了OCP 點?
- CC, CV ,LPS, Ripple noise, Dynamic load, rise time ,fall time ,No load 損耗 都需要驗證
- 配合手機驗證改善後的參數, 手機從0%衝到100%. 用示波器監測電源輸出電壓紋波, 電流紋波.
R4本来是不用加的,跟反馈没有关系,只是为了安规问题才加的。好像是HIPOT大电流会把光耦打坏,而且HIPOT测试需要破坏次级还是初级的环路/保护,属于安规里面的破坏性保护吧,或者是加强的保护,所以串了一个电阻。
上面是测试波特图的接线方法。
客户测试手机时发现环路不稳定,出现掉电和响声。后面测试发现升压板7V档位负载CV5.5V5A6A时候环路不稳定,表现是要么掉电带不起来。要么大小周输出纹波很大,同时单体有很响的啸叫。这是环路参数的问题,后面通过增加C32,R48,更改C4,C28并不断根据输出电压纹波,环路稳定phase,gain来确定最优的参数。
另外,后面客户又发现充电时在一些条件下(比如0度温度下,9V3.5A),会有大下周,输出电流纹波比较大。这次全面排查了0度常温温度条件下,各种充电条件下,是否会有大小周,并且用热风枪吹光耦,协议IC,BUCK电容等,确认光耦的CTR值受温度影响较大,进而导致环路不稳定,出现大小周,电流纹波较大。