全桥驱动的理解

全桥驱动(Full-Bridge Driver)是一种用于控制全桥拓扑结构的电路,广泛应用于电机驱动、电源转换、逆变器和无线充电等领域。全桥拓扑由四个开关器件(通常是MOSFET或IGBT)组成,能够实现双向电流控制和更高的功率输出。


全桥驱动的基本结构

  1. 四个开关器件

    • 两个高边开关(Q1、Q3):分别连接在电源正极和负载两端。

    • 两个低边开关(Q2、Q4):分别连接在负载两端和地之间。

  2. 负载:连接在四个开关器件的中间。

全桥驱动通过控制四个开关器件的导通和关断,实现对负载电流方向和大小的精确控制。


全桥驱动的工作原理

  1. 正向电流模式

    • Q1和Q4导通,Q2和Q3关断。

    • 电流从电源正极通过Q1流向负载,再通过Q4返回电源负极。

  2. 反向电流模式

    • Q2和Q3导通,Q1和Q4关断。

    • 电流从电源正极通过Q3流向负载,再通过Q2返回电源负极。

  3. 死区时间

    • 为了避免直通短路(上下桥臂同时导通),需要在开关切换时插入一段死区时间(Dead Time)。


全桥驱动的优势

  1. 双向控制:能够实现负载电流的正反向控制,适用于电机正反转等应用。

  2. 高效率:全桥拓扑可以实现高效的功率转换。

  3. 高功率输出:适用于大功率应用,如电机驱动和逆变器。

  4. 灵活性:通过调整开关的占空比,可以精确控制输出电压和电流。


全桥驱动的挑战

  1. 死区时间管理:需要精确控制死区时间,以避免直通短路。

  2. 高边驱动问题:高边开关需要高于电源电压的驱动电压,通常需要自举电路或隔离电源。

  3. EMI问题:开关过程中可能产生电磁干扰(EMI),需要采取滤波和屏蔽措施。

  4. 复杂性:全桥驱动需要控制四个开关器件,电路设计和控制算法较为复杂。


全桥驱动的应用

  1. 电机驱动

    • 直流电机、步进电机和BLDC(无刷直流电机)的正反转控制。

    • 伺服电机和工业机器人驱动。

  2. 电源转换

    • DC-DC转换器、AC-DC逆变器。

    • 太阳能逆变器和UPS(不间断电源)。

  3. 音频放大器

    • D类音频放大器常采用全桥拓扑。

  4. 无线充电

    • 用于无线充电系统中的功率传输。


全桥驱动的实现

  1. 开关器件

    • MOSFET:适用于中低电压、高频率应用。

    • IGBT:适用于高电压、大电流应用。

  2. 驱动IC

    • 专用的全桥驱动IC集成了高边和低边驱动电路,简化了设计。

    • 常见驱动IC包括:

      • IR2110(International Rectifier)

      • L6388(STMicroelectronics)

      • HIP4082(Renesas)

  3. 自举电路

    • 用于为高边开关提供高于电源电压的驱动电压。

    • 通常由二极管和电容组成。

  4. 死区时间控制

    • 通过硬件电路或软件编程实现。


全桥驱动与半桥驱动的区别

  • 半桥驱动:使用两个开关器件,适用于单极性控制。

  • 全桥驱动:使用四个开关器件,可以实现双极性控制,适用于更高功率和更复杂的应用。


全桥驱动的控制模式

  1. PWM控制:通过调节开关器件的占空比来控制输出电压和电流。

  2. 同步整流:在低边开关导通时,利用其体二极管或外部二极管进行续流,提高效率。

  3. 相位控制:通过调整开关器件的导通相位,实现更复杂的控制策略。


总结

全桥驱动是一种高效、灵活的功率电子技术,广泛应用于电机控制、电源转换和逆变器等领域。其核心在于四个开关器件的协同控制,能够实现双向电流和高功率输出。尽管设计和实现较为复杂,但通过使用专用的驱动IC和优化设计,可以显著提高全桥驱动的性能和可靠性。

本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥,由低压逻辑信号控制,如图1所示。该电路为低电平逻辑信号和高功率电桥提供了一个方便的接口。H电桥的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供隔离。本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。 现代微处理器和微控制器一般为低功耗型,采用低电源电压工作。2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H电桥,必须精心选择接口和电平转换器件,特别是要求低抖动时。 ADG787是一款低压CMOS器件,内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。采用5 V直流电源时,有效的高电平输入逻辑电压可以低至2 V。因此,ADG787能够提供驱动半桥驱动器ADuM7234所需的2.5 V控制信号到5 V逻辑电平的转换。 ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器,采用ADI公司iCoupler:registered:技术,提供独立且隔离的高端和低端输出,因而可以专门在H电桥中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处:N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的1/3,最大电流更高;切换速度更快,功耗得以降低;上升时间与下降时间是对称的。 ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开,使得H电桥级的功耗最小。本电路中,H电桥的最大驱动电流可以高达85 A,它受最大容许的MOSFET电流限制。 ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器,集成脉宽调制(PWM)控制器,其输出经过适当的电平转换和调理后,可以用来驱动H电桥。
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