一种4位sar adc仿真验证

4位sar adc采用下图的电容阵列,电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的反相端连接,比较器同相端接Vin,其工作过程进行大致分析见之前的文章《一种4位sar adc工作过程推导(三)》,下面对这个电路进行仿真验证。

4bit_adc_step4原理图(三)

两个参考电压 V r e f P V_{refP} VrefP V r e f N V_{refN} VrefN V + = V i n V_{+}=V_{in} V+=Vin,假设 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 12 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{12}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN<Vin<1612(VrefPVrefN)+VrefN



仿真过程(一):

绘制仿真原理图,设置好参数:Vin=850 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 V, 11 16 ⋅ ( 1.2 − 0 ) + 0 < V i n < 12 16 ⋅ ( 1.2 − 0 ) + 0 \frac{11}{16}\cdot(1.2-0)+0<V_{in}<\frac{12}{16}\cdot(1.2-0)+0 1611(1.20)+0<Vin<1612(1.20)+0,采用理想开关(switch)和实际的开关(switch2to1)。

4bit_adc仿真原理图

下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与 V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N , 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N , 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 2VrefPVrefN+VrefN,43(VrefPVrefN)+VrefN,85(VrefPVrefN)+VrefN, 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN进行比较,所以Vminus分别为 V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N , 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N , 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 2VrefPVrefN+VrefN,43(VrefPVrefN)+VrefN,85(VrefPVrefN)+VrefN, 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN.

  • step1: V m i n u s = 1 2 × 1.2 = 0.6 V V_{minus}=\frac{1}{2}\times1.2=0.6 V Vminus=21×1.2=0.6V
  • step2: V m i n u s = 3 4 × 1.2 = 0.9 V V_{minus}=\frac{3}{4}\times1.2=0.9 V Vminus=43×1.2=0.9V
  • step3: V m i n u s = 5 8 × 1.2 = 0.75 V V_{minus}=\frac{5}{8}\times1.2=0.75 V Vminus=85×1.2=0.75V
  • step4: V m i n u s = 11 16 × 1.2 = 0.825 V V_{minus}=\frac{11}{16}\times1.2=0.825 V Vminus=1611×1.2=0.825V

4bit_adc仿真波形图


仿真过程(二):

绘制仿真原理图,设置好参数:Vin=980 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0.4 V, 11 16 ⋅ ( 1.2 − 0.4 ) + 0.4 < V i n < 12 16 ⋅ ( 1.2 − 0.4 ) + 0.4 \frac{11}{16}\cdot(1.2-0.4)+0.4<V_{in}<\frac{12}{16}\cdot(1.2-0.4)+0.4 1611(1.20.4)+0.4<Vin<1612(1.20.4)+0.4,采用理想开关(switch)和实际的开关(switch2to1)。

4bit_adc仿真原理图2

下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与 V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N , 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N , 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 2VrefPVrefN+VrefN,43(VrefPVrefN)+VrefN,85(VrefPVrefN)+VrefN, 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN进行比较,所以Vminus分别为 V r e f P − V r e f N 2 + V r e f N , 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N , 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 2VrefPVrefN+VrefN,43(VrefPVrefN)+VrefN,85(VrefPVrefN)+VrefN, 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN.

  • step1: V m i n u s = 1 2 × ( 1.2 − 0.8 ) + 0.4 = 0.8 V V_{minus}=\frac{1}{2}\times(1.2-0.8)+0.4=0.8 V Vminus=21×(1.20.8)+0.4=0.8V
  • step2: V m i n u s = 3 4 × ( 1.2 − 0.8 ) + 0.4 = 1 V V_{minus}=\frac{3}{4}\times(1.2-0.8)+0.4=1 V Vminus=43×(1.20.8)+0.4=1V
  • step3: V m i n u s = 5 8 × ( 1.2 − 0.8 ) + 0.4 = 0.9 V V_{minus}=\frac{5}{8}\times(1.2-0.8)+0.4=0.9 V Vminus=85×(1.20.8)+0.4=0.9V
  • step4: V m i n u s = 11 16 × ( 1.2 − 0.8 ) + 0.4 = 0.95 V V_{minus}=\frac{11}{16}\times(1.2-0.8)+0.4=0.95 V Vminus=1611×(1.20.8)+0.4=0.95V

4bit_adc仿真波形图2


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