一种4位sar adc工作过程推导(三)

4位sar adc采用下图的CDAC,此次讨论参考电压的选取为一般情况下( V r e f P > V r e f N V_{refP}>V_{refN} VrefP>VrefN),没有设定 V r e f N = 0 V_{refN}=0 VrefN=0这个条件。

4bit_adc_step4原理图(三)

V + = V i n V_{+}=V_{in} V+=Vin,假设 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N < V i n < 12 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{12}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN<Vin<1612(VrefPVrefN)+VrefN


分析过程:

step0:

4bit_adc_step1(三)

ϕ 1 \phi_{1} ϕ1开关闭合,比较器同相端接Vin,反相端接VrefN,电容负端都接VrefN

电容上存储的电荷为 Q = ( V r e f N − V r e f N ) ⋅ 16 C = 0 \begin{aligned} &Q=(V_{refN}-V_{refN})\cdot16C=0 \end{aligned} Q=(VrefNVrefN)16C=0

V + = V i n V_{+}=V_{in} V+=Vin V − = V r e f N V_{-}=V_{refN} V=VrefN

step1:

4bit_adc_step2(三)

首先将开关 ϕ 1 \phi_{1} ϕ1断开,电容8C的负端接VrefP,其余电容接VrefN不变
根据电容上的电荷量相等,可得

( V − − V r e f P ) ⋅ 8 C + ( V − − V r e f N ) ⋅ 8 C = 0 \begin{aligned} &(V_{-}-V_{refP})\cdot8C+(V_{-}-V_{refN})\cdot8C=0 \end{aligned} (VVrefP)8C+(VVrefN)8C=0

⇒ V − = 1 2 ( V r e f P + V r e f N ) \Rightarrow V_{-}=\frac{1}{2}(V_{refP}+V_{refN}) V=21(VrefP+VrefN)


V + − V − = V i n − 1 2 ( V r e f N + V r e f N ) = V i n − [ 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-\frac{1}{2}(V_{refN}+V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+V=Vin21(VrefN+VrefN)=Vin[21(VrefPVrefN)+VrefN]
第1次: V i n V_{in} Vin 1 2 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{1}{2}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 21(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最高位D3=1

step2:

4bit_adc_step3(三)

因为最高位D3=1,所以电容8C和4C的负端接VrefP;其余电容的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V − − V r e f P ) ⋅ 12 C + ( V − − V r e f N ) ⋅ 4 C = 0 \begin{aligned} &(V_{-}-V_{refP})\cdot12C+(V_{-}-V_{refN})\cdot4C=0 \end{aligned} (VVrefP)12C+(VVrefN)4C=0

⇒ V − = 3 4 V r e f P + 1 4 V r e f N \Rightarrow V_{-}=\frac{3}{4}V_{refP}+\frac{1}{4}V_{refN} V=43VrefP+41VrefN


V + − V − = V i n − ( 3 4 V r e f P + 1 4 V r e f N ) = V i n − [ 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-(\frac{3}{4}V_{refP}+\frac{1}{4}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+V=Vin(43VrefP+41VrefN)=Vin[43(VrefPVrefN)+VrefN]
第2次: V i n V_{in} Vin 3 4 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 43(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为低电平,即次高位D2=0

step3:

4bit_adc_step4(三)

因为D3D2=10,所以电容8C和2C的负端接VrefP;其余电容的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V − − V r e f P ) ⋅ 10 C + ( V − − V r e f N ) ⋅ 6 C = 0 \begin{aligned} &(V_{-}-V_{refP})\cdot10C+(V_{-}-V_{refN})\cdot6C=0 \end{aligned} (VVrefP)10C+(VVrefN)6C=0

⇒ V − = 5 8 V r e f P + 3 8 V r e f N \Rightarrow V_{-}=\frac{5}{8}V_{refP}+\frac{3}{8}V_{refN} V=85VrefP+83VrefN


V + − V − = V i n − ( 5 8 V r e f P + 3 8 V r e f N ) = V i n − [ 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-(\frac{5}{8}V_{refP}+\frac{3}{8}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+V=Vin(85VrefP+83VrefN)=Vin[85(VrefPVrefN)+VrefN]
第3次: V i n V_{in} Vin 5 8 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 85(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即次低位D1=1

step4:

4bit_adc_step5(三)

因为D3D2D1=101,所以电容8C、2C和一个电容C的负端接VrefP;其余电容的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得

( V − − V r e f P ) ⋅ 11 C + ( V − − V r e f N ) ⋅ 5 C = 0 \begin{aligned} &(V_{-}-V_{refP})\cdot11C+(V_{-}-V_{refN})\cdot5C=0 \end{aligned} (VVrefP)11C+(VVrefN)5C=0

⇒ V − = 11 16 V r e f P + 5 16 V r e f N \Rightarrow V_{-}=\frac{11}{16}V_{refP}+\frac{5}{16}V_{refN} V=1611VrefP+165VrefN


V + − V − = V i n − ( 11 16 V r e f P + 5 16 V r e f N ) = V i n − [ 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N ] \begin{aligned} V_{+}-V_{-}&=V_{in}-(\frac{11}{16}V_{refP}+\frac{5}{16}V_{refN})\\ &=V_{in}-[\frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}] \end{aligned} V+V=Vin(1611VrefP+165VrefN)=Vin[1611(VrefPVrefN)+VrefN]
第4次: V i n V_{in} Vin 11 16 ( V r e f P − V r e f N ) + V r e f N \frac{11}{16}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN} 1611(VrefPVrefN)+VrefN两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最低位D0=1

所以4位sar adc输出数字码为D3D2D1D0=1011


小结

与前文《一种3位sar adc仿真验证》的仿真结果相比,比较器两端不会出现负电压。

电路使用24个电容实现4位sar adc的逐次逼近,是位数较低的sar adc的一种经典实现方式。

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