【开关电源】开关电源实战经验分享

概要

Buck电路(Controller)主要是由几个部分组成：1、控制器及外围线路；2、功率MOS；3、功率电感；4、输入/输出滤波电容
Buck电路(Converter)相比Controller主要集成了功率MOS；
如果电流在1A~10A之间，一般选择集成MOSFET的稳压器；具体情况集体分析。

控制器及外围线路设计

提示：多相控制器通过并联多个开关电源阶段(相)来提高总体输出电流，每个相位都有自己的控制回路和开关元件。
1、控制器分为单相和多相，根据负载大小选择相数，相数少可能会造成功率器件温度过高导致损坏，相数太多造成浪费。输出电流30A以下选择单相控制器。
2、控制器协议差异，常见的协议有I2C或PMBUS(国产平台)、SVID（Intel平台），SVI3（AMD平台），PWMVID（NVIDIA平台）等。
3、控制器分为数字和模拟。数字控制器外围简单是未来发展趋势。

技术名词解释

例如：

• VCC
  控制器内部逻辑和驱动电路的供电电源
• CBST
  自举电容，主要是维持高边MOS的导通
  
  LS导通时,SW的电压降为0,VCC通过红色路径给CBST充电；
  HS导通时,HG变高的过程中HS开始导通,SW电压开始升高，电容电压不能突变，HS的Vgs电压差大于等于电容两端电压。
• PG
  Power Good信号在IC内部Open Drain，需要外部上拉。值得注意的是上拉电源的上电时间，需要在VCC上电之后，避免上拉电源上电时IC无法控制，导致PG出现毛刺。下图分别是PG上拉电源位于VCC之前和之后上电，PG的波形。
  

功率MOS

(1)VDS耐压
Buck实际工作时DS电压小于VDS，防止MOS实际工作时被击穿;实际工作时MOS的波形会有振铃，VDS一般选择比输入电压大10V。
(2)MOS的Id电流
选型时MOS的Id电流小于输出的峰值电流，MOS的datasheet标明的电流是基于Rdson和最大功率Pd计算得来的，没有考虑开关损耗；因此不能直接和Irms值比较，需要考虑MOS的整体损耗来确定选型。
(3)Rdson和Qg
原则上管选择Qg更小的，下管选择Rdson更小的。如果buck的占空比较大（＞50%），上管的导通损耗也不容忽视，需要Qg和Rdson都小。
(4)MOS的驱动信号增加串联电阻
通过调节这个电阻改变MOS的开关速度；影响开关时的振铃也影响效率。

功率电感

提示：功率电感则主要从电感值和电流两个方面来选型

(1)Buck电路的感值可通过如下公式进行计算：
电感感值计算公式：

r是电流纹波率，一般选择0.3-0.5。电感值会影响输出纹波率和动态响应；实际应用时可以根据测试情况调整。
(2)电感电流主要分为饱和电流Isat和温升电流Irms;
选择电感时饱和电流Isat要大于Ipeak;避免电感饱和造成MOS和电感损坏。
温升电流考虑的是电感的损耗和温度，一般选择电感时Irms大于Io;


(3)对于CPU和GPU的核心电源，在选择电感时还需要注意DCR的精度，这类电源一般都会用电感DCR做电流检测，为了保证电流检测的一致性，电感的DCR精度尽量选择±5%以内。

输入和输出电容

输入和输出的电容主要作用是滤除电源噪声，并且在电源跳变时提供和吸收能量，使电压保持稳定。
(1)为了避免被击穿，电容降额使用，具体降额看设计要求。
(2)电容的容值主要影响滤波和稳压效果；大电容虑低频，小电容虑高频，根本的原因在于SFR（自谐振频率）值不同。电感的阻抗与频率成正比，电容的阻抗与频率成反比。
(3)电容纹波电流有效值，主要是选择输入电容时需要注意的（特别是电解电容），如果实际的输入电容纹波电流有效值超过电容的额定值，会造成电容失效。

(4)电容的ESR主要影响电源纹波，同时也跟电容的纹波电流有效值相关，一般情况下，ESR越小的电容，纹波电流有效值越大。

Layout

开关电路可以分为以下三个部分：
（1）红色部分为功率转换的路径，电流和电压变化快，且幅度大，走线宽度要足够，同时需要跟其他信号保持安全距离，避免干扰；

（2）蓝色部分为驱动信号，平均电流不大，但是瞬间电流较大，且电压和电流变化极快，会造成强烈的干扰，layout时要非常小心；

（3）绿色部分是反馈信号和IC的功能设置，非常敏感，需要避开干扰源。

功率转换模块Layout设计

功率转换模块包括MOS、电感、输出电容等

可以看出输入电容和MOS电流变化剧烈，电感和MOS组成的区域SW电压变化剧烈。功率转换模块等效模型，图中标出了寄生电感和电容，layout设计要求：尽可能减小寄生电感和寄生电容。

（1）下图是buck电路功率转换模块layout较差的例子，输入电容跟MOS形成的回路较大，产生较大的寄生电感，容易形成严重的高频振荡；电感两个PIN的铜箔距离近，并且耦合面积大，产生的寄生电容CP比较大，影响电感性能；SW的区域太大，容易对外辐射，干扰周边电路。

（2）buck电路功率转换模块layout较好的例子如下，输入电容和MOS形成的回路小，寄生电感小；电感两个PIN的距离远，寄生电容CP小；SW区域大小合适，不易造成严重干扰。

（3）SW的铜箔跟相邻层的铜箔会形成一个寄生电容CSW，SW的电压剧烈变化，通过这个寄生电容对相邻层造成强烈的干扰，因此SW下方不能有其他信号的走线，需要用地层或稳定的电源层隔开。

（4）功率地应尽量完整，避免被其他信号或过孔打断，影响电流回流路径的完整性。

驱动信号Layout设计

（1）驱动信号是控制MOS开关，电压变化快且瞬间电流大。因此走线要粗而短，走线宽度要求20mil以上。
（2）驱动信号本身干扰极强，容易影响其他信号，因此不能跟其他信号平行或重叠，至少要有地层隔离。
（3）上管和下管的驱动信号不能平行的走线，也不能交叉（相邻层，没有地层隔离的情况下），以免互相干扰引起MOS误动作，导致MOS烧坏。
（4）驱动信号的电流回路面积尽量小，减少电磁干扰
（5）BST电容尽量靠近PIN脚摆放，并用短而粗的线连接，减小回路面积

反馈信号及IC功能信号Layout设计

（1）反馈信号很敏感，所以layout时远离干扰源，例如高压电源层，驱动信号，开关节点（SW），电感，I2C信号等电压电流变化大的信号。
（2）成对的反馈信号，需要按照差分走线，线宽7~10mil，间距6mil，与其他信号的距离要15mil以上，同层噪声源距离20mil以上，且不可在相邻层跟噪声源重叠（相邻层距离也需要20mil以上）。
（3）电流检测信号从电感或者精密电阻两端拉线时，要注意采样的位置，需要从焊盘中间拉线或者焊盘中心打孔后走线。
（4）反馈信号尽量参考地层，即相邻层是完整的地层，或者参考低压且稳定的电源层，避免被干扰。
（5）IC功能设置的电阻电容，例如mode，OCP设置电阻，软启动电容等器件，靠近IC的PIN脚摆放，且GND与IC的AGND连在一起，如果没有AGND，则单独打孔连接到完整的地层，避免跟功率器件的地连在一起。
（6）IC如果有单独的AGND，需要先连在一起，然后通过单点接到地层，一般是通过电阻或short pad接到VCC电容的GND；VCC电容要尽可能靠近IC的PIN脚摆放。

控制器整体布局

控制器是控制整个buck电路工作的核心，因此需要摆放在相对干净的位置，远离噪声源，例如功率电感，开关节点，驱动信号，高压电源层，功率器件地层等。
一般来说，控制器可以摆放在离功率器件较远的位置，只要控制信号和检测信号注意避开干扰源即可，但是对于集成MOS驱动的控制器，则需要靠近MOS摆放，避免驱动信号走线过长。
控制器尽量参考完整的地层，不要参考输入电源层和负载动态变化大的电源，例如12V输入，CPU或GPU核心电源层。

Buck电路原理图设计

控制器根据电流需求选择合适的相数，以及满足输入输出电压范围要求
VCC,AGND这些PIN脚的外围电路需要按照控制器要求进行设计
Power good上拉电源需要在VCC之后上电
MOS选型，上管选择Qg小的型号，下管选择Rdson小的型号
电感的饱和电流和温升电流要大于实际的峰值电流和平均电流，对于DCR做电流检测的，需要选择DCR精度在±5%以内的电感
输入输出电容需要确保耐压满足要求，可选择不同类型的电容混搭，输入电容还需要注意纹波电流有效值

Buck电路layout设计

功率器件的电流回路面积尽量小，电感两个PIN的距离尽量远，SW区域下方不要有其他信号走线
驱动信号走线尽量短而粗，并且跟其他信号保持距离，避免干扰到其他信号
反馈信号需要差分走线，并避开干扰源
IC功能设置的器件靠近对应的PIN脚摆放
AGND通过单点接到GND
VCC电容尽可能靠近IC PIN脚摆放
控制器放在环境噪声小的位置，参考完整的地层