华大九天在19年往高校推广了一波自家的AMS设计套件。这两天无聊就试用了一把这个有趣的工具RCExplorer,这个工具简单的说就是在layout阶段获取一些关于寄生的先验知识,从而为优化版图设计或者在版图后调试提供依据。华大的这个工具可以说是对标candence家的layout EAD(EXL)/EAD browser (打开layout view,launch->layout EAD就可以打开)
过程不细说,大概步骤在华大的pdf教程中都能找到,第一步就是吃进和工艺相关的itf文件,table文件,layermap文件。itf是对标candence家的ict文件的(所以在C家的EAD Browser中吃进去的就是ict文件,另外其实C家提供了脚本去转itf2ict,在encounter/innovus目录下),ict文件描述的是各个工艺层次的电气特性,比如导电层的电阻率,厚度,介电层的介电常数等等啦;table文件未可知,里面是加密的;layer map文件就是把itf文件中的层次和layout中的层次match上。
然后就可以通过Parasitic Analysis来分析点到点的电阻电容寄生了。比如这里的M1,R=W/L*Rs=3.17/0.23*0.078=1.075ohm;这里的poly,R=3.86/0.18*9.78=209.7,效果还是不错的,计算的Rs就来源于itf文件。