mos管的rc吸收电路计算_RC吸收电路参数计算

RC

吸收电路参数计算

一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联

RC

串联网络，该网络常称为

RC

阻容吸收电路

。

我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率

dlv/dlt

。它表明晶闸

管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上

升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时

加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作

是由三个

PN

结组成。

在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其

J2

结结面相当于一个电容

C0

。当晶

闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容

C0

，并通过

J3

结，这个电流起了门极触发

电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则

C0

的充电电流越大，就有可

能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许

的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联

RC

阻容

吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感

的

(

变压器漏感或负载电感

)

，所以与电容

C

串联电阻

R

可起阻尼作用，它可以防止

R

、

L

、

C

电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通

过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

由于晶闸管过流过压能力很差，

如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC

阻

容吸收网络就是常用的保护方法之一。

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, l; l

2 m8 w

, w# e

+ L4 E

% g

二、整流晶闸管

(

可控硅

)

阻容吸收元件的选择

电容的选择

5 g9 g- D1 Y

5 M4 M

: O+ k

* H# Z

$ J# r

C=(2.5-

5)×10

的负

8

次方×If

If=0.367Id

Id-

直流电流值

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_6 j7

U6 b2

U; ?"

n& z

如果整流侧采用

500A

的晶闸管

(

可控硅

)

可以计算

C=(2.5-

5)×10

的负

8

次方×500=1.25

-2.5mF

3dportal.cn5 s

& B) \

) D/ B

/ g4 M

9 S

选用

2.5mF

，

1kv

的电容器

电阻的选择：

3dportal.cn* M

0 t1 S

5 O- l

" B9 S. V2 O

R=((2-

4) ×535)If=2.14

-8.56

选择

10

欧

PR=(1.5×(pfv×2

π

fc)

的平方×10

的负

12

次方×R)2

Pfv=2u(1.5-2.0)

u=

三相电压的有效值

阻容吸收回路在实际应用中，

RC

的时间常数一般情况下取

1~10

毫秒。

小功率负载通常取

2

毫秒左右，

R=220

欧姆

1W

，

C=0.01

微法

400~630V

。

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坛

$ Q3

s8 O'

r+ H

N1 p

大功率负载通常取

10

毫秒，

R=10

欧姆

10W

，

C=1

微法

630~1000V

。