mos管的rc吸收电路计算_RCD吸收电路

一﹑首先对MOS管的VD进行分段：

ⅰ，输入的直流电压VDC；

ⅱ，次级反射初级的VOR；

ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：

ⅰ，输入的直流电压VDC。

在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

VDC＝VAC  *√2

ⅱ，次级反射初级的VOR。

VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%(依Vo =5.25V计算)，二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值)．

VOR＝(VF　+Vo)*Np/Ns

ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．

VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．

VDS＝VD* 10%

ⅳ，RCD吸收VRCD．

MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%(这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响)。

VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%

注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．

② VRCD必须大于VOR的1.3倍．(如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了)

③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．(如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了)

④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。

⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的

ⅴ，RC时间常数τ确定．

τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。

三﹑试验调整VRCD值

首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。(RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上)

一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。

四﹑试验中值得注意的现象

输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和(三)的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。

重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。