mos管的rc吸收电路计算_模拟COMS集成电路设计：mos管的fT频率

最新推荐文章于 2023-11-17 15:27:27 发布
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上篇推文“模拟CMOS集成电路设计之gm与gmb”的饱和区的ID笔误少输了一个1/2：应该为ID=(1/2)*unCox......一、理论分析MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。fT定义在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)fT计算MOS的小信号模型如下：输入电流I...
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上篇推文“模拟CMOS集成电路设计之gm与gmb”的饱和区的ID笔误少输了一个1/2：

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应该为ID=(1/2)*unCox......

一、理论分析

MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。

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fT定义

在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)

fT计算

MOS的小信号模型如下：

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输入电流Iin(ω):

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