特性
概述
NS4110B内置过流保护、过热保护功能,有效保护芯片在异常工作状况下不被损坏。
NS4110B提供eSOP-8封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

NS4110B工作模式通过CTRL管脚控制。通过不同的电平选择工作模式:当该管脚电压为0.5V以下时, 芯片处于低功耗关断状态;当该管脚电压为0.9V~1.5V时,芯片工作在AB类模式;当该管脚电压为2V~5V 时,芯片工作在D类模式。如下表:
注意:当芯片供电电压为12V或更高,且进入AB类工作模式时,由于芯片发热严重,会触发过温保护。
如下是本人的设计。
输入电阻
输入电阻主要是确定增益,即输出功率,所以一定要确定输入信号的幅度,喇叭的幅度,前后使用有效值计算。此设计搭配的喇叭是8R3W,额定功率3W,额定电压4.89V(有效值),最大功率4W。
我们先确定输入信号的赋值,然后根据喇叭的额定电压,确定放大倍数,得出RI的值。
设计输入信号有效值约600mv,输出信号有效值为4.89V.放大倍数为8.15倍,根据规格书提供的RI计算公式,AV=300K/RI,
RI取36K。
输入电容
RI确定后,第二部确定CI的值,CI与RI构成一个高通滤波器,-3dB 转折频点计算公式为:
此电容的大小决定了低频特性,同时,还影响开关机的POP抑制性能。如果电容大,截至频率低,容易出现POP声,较小的电容影响通频带 ,20hz-20K.
截至频率取44HZ,计算得出CI=0.1uf。
输出滤波
输出波形可以直接驱动喇叭发声,因为其波形频谱=音频+PWM调制波形+谐波分量。
本质上D类音频功放不需要输出滤波器,因为扬声器本身就是一个LC滤波。但是为了解决EMI问题,推荐使用FB,电容来减少辐射,根据参考设计来即可。
需要主要FB使用的规格,根据输出功率计算好输出电流,FB额定电流留有余量。即可。
大多数应用需要铁氧体珠过滤器。铁氧体滤波器降低约1兆赫兹及更高的EMI (FCC和
CE只测试大于30 MHz的辐射。在选择铁氧体珠时,请选择高铁氧体珠高频阻抗高,低频阻抗低。
如果有低频(<1 MHz) emi敏感电路和/或有长电线,使用LC输出滤波器从放大器到扬声器。
当LC滤波器和铁氧体珠滤波器同时使用时,LC滤波器应放置在尽可能靠近的地方
集成电路其次是铁氧体珠滤波器。
下面是TI的参考设计:典型值为33uH的电感和1uF的电容,此低通滤波器的截至频率为28K,对音频的20K有一定余量,这是考虑到理论和实际的误差,因此截至频率一般都会设计偏高一些。
电源去耦电容
NS4110B是一款高性能的音频功率放大器,因此,适当的电源去耦电容能够保证功放输出的总谐波失真(TH D)足够低。去耦电容同样也能消减脉冲对扬声器的干扰。针对电源线上不同种类的噪声可适当的选择不同的电容去耦网络:
对于由于电路自身寄生参数如键合线和铜痕电感甚至于引线框架电感等所敏感的瞬态高频噪声,可以用一个高质量的低等效串接电阻(ESR)的陶瓷电容(容值为220pF到1000pF)去耦。该电容应该尽量靠近
放大器的功率管脚,当然,接地也要做好布局;
对于有滤波器谐振或PWM开关甚至于一个随机的数字信号造成的低频噪声,可以用一个高质量的,容
值为0.1u F到1u F的电容去耦。该电容最好能尽量靠近功率电源;
另外,一个220u F或者更大的铝电解电容可对大信号瞬态干扰去耦。该电容应当靠近功率电源脚接入。
PCB layout建议
在大多数使用中,NS4110B使用的磁珠滤波器就能满足要求。然而,D类功放的开关边沿变化十分迅速, 因此,在layout的过程中需要仔细考虑。针对噪声以及系统的电磁兼容(EMC)要求,以下是几点建议:
(1)针对不同噪声源以及干扰相应电源去耦电容要预留。电容尽可能靠近管脚放置。
(2)输出电流环路尽量小。无论是磁珠或者电感和电容构成的滤波器尽可能的靠近输出管脚。此部分电尽可能远离敏感信号线和电路。
(3)地线,电源线尽量短,尽量宽走线。
(4)散热片应当合理的焊接在PCB板的散热区域内。
测试电路
NS4110B测试电路如下图,测量D类模式功放时,低通滤波器(Low PASS Filter)是必须的。可以用两个 33u H的电感串联在负载电阻两端以等效扬声器。如果只采用纯电阻代替扬声器负载,所测到的结果会比扬声器做负载时结果差,包括功率,效率,失真度等指标。