曝光原理_AMOLED需要的核心工艺设备曝光机，有几个了解这么多……

BOE知识酷 ? 显示技术|显示资讯| PPT|知识管理 第964推文

一般光刻在显示领域主要在TFT和CF制程上，光刻的流程分为：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测。而在整个流程中，今天OLEDindustry 重心来讲讲曝光这段核心工艺及其设备。

曝光，简单点说，就是通过光照射光阻，使其感光。然后通过显影工艺将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。而整个光刻工艺，则是将图形从光罩上成象到光阻上的过程。

曝光机的原理

谈到曝光，那必不可少就要谈到曝光机。目前大部分曝光设备采用的是非接触式曝光。原理是紫外光经过MASK对涂有光刻胶的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃经显影产生与mask板相同的图案。

在曝光显影时, 其曝光系统有一个基本的关系:

其中R为最小特征值, 即分辨率的最小距离。k1 为常熟(瑞利常数)。λ为曝光光源波长。NA为透镜的数值孔径, 是光罩对透镜张开的角度的正玹值。该值最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ~ 0.85之间。可见为了减小最小特征尺寸, 则必须减小曝光光源波长和提高NA值。ASML最新推出的EUV光刻胶, 可以把波长虽短到13.5 nm。但是整个光刻活动都在真空环境, 则生产速率较低。

如果采取x-ray。虽然x-ray波长只有4 ~ 50 Å, 但是因为其能穿透大部分掩模版切对应光刻胶开发难度较大, 该技术一直没有被采用。

为了在不改变曝光系统的前提下提高NA而改善R值, 可采取的方法有:

(1) 改变接近