可调电子负载中mosfet vth问题

在这里插入图片描述上面这个电路可实现单片机操控的电压输出,非常实用。但是在输出2V电压时,发现当负载大于2mA后,输出电压出现
明显下降
。经过debug后,发现原因是因为放大器电源电压为5V,导致放大器输出电压最大不能超过5V,当mosfet源极输出2V电压时,Vgs=3V,根据datasheet
在这里插入图片描述

Vgs = 3V,不能很好的打开mosfet,漏极电流太小,不足以提供驱动电流,同时导通电阻太大,导致源极输出电压达不到DAC输出值。后期将放大器电源使用外部电压源提供5.5V电压,源极输出电压稳定,和DAC输出结果一致。

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### 回答1: MOSFETVth值是指其门控电压为0时,MOSFET的漏电流达到指定数值的阈值电压值。为了测量MOSFETVth值,我们可以采取以下两种方法: 1. 斜率法 斜率法是通过绘制MOSFET的输出特性曲线,找到其漏电流达到指定数值时的门控电压,从而得出Vth值。具体操作步骤是:首先将MOSFET的栅极接地,然后分别给源极和漏极施加不同的电压,测量MOSFET的输出电流并绘制输出特性曲线。在曲线上找到漏电流达到指定数值时的门控电压,即为MOSFETVth值。 2. 截距法 截距法是通过分析MOSFET的输出特性曲线,在漏电流为0时,计算出门控电压和源漏压差之间的截距点,从而得出Vth值。具体操作步骤是:将MOSFET的栅极接地,给漏极施加一定的电流,测量MOSFET的输出电压并绘制输出特性曲线。在曲线上找到漏电流为0时,门控电压和源漏压差之间的截距点,即为MOSFETVth值。 以上两种方法都可以用于测量MOSFETVth值,具体选择哪种方法取决于实际情况和测试要求。 ### 回答2: MOSFETVth值是开关特性的一个重要参数,也就是当MOSFET完全关闭的时候,控制极的电压。通过测量Vth值,可以确定MOSFET的阈值电压,确定适合于该MOSFET的电路参数,避免MOSFET未能在适当的状态下工作。以下是测量MOSFET Vth值的方法: 1. 直接普通方法:方法简单,将N沟道(N通道Mosfet)和P沟道(P通道MosfetMosfet的控制极接地,将源极和漏极短接,然后逐渐升高其漏极电压。当漏极电压升高到一定程度时,MOSFET的漏态开始出现,在该状况下,记录对应于最小漏电流的漏极电压即可。 2. 双模式法:通过使用双模式仪器,可以快速,可靠地测量Vth值。它是通过将MOSFET进行快速开关,来让其工作在区域导通和区域截止模式下来测量Vth值。 3. 端口拟合法:在使用这种方法之前,需要对MOSFET的IV特性和BV特性进行测量。这种方法需要使用回归分析技术来测量模型参数,然后通过拟合曲线来确定Vth值。 4. 电荷注入法:通过使用极低的电荷注入电压来测量Vth值。在该方法MOSFET的门极电压先被调到反转区,然后泵入小电荷到门极电压上,记录所对应的情形下的漏态电流即可。 5. 晶体管游走法:在这种方法,晶体管在源漏区域工作。该方法使用极低的漏态电流来测量Vth值。当引入低电压时,晶体管反转和正向偏置产生的电流相等,所使用的偏压可以被使用来测量Vth值。 ### 回答3: MOSFET是一种管型三极管,它是一种常见的场效应晶体管,常用于集成电路Vth值是一项重要参数,它代表了MOSFET基本开启电压。在实际使用,我们需要准确地测量MOSFETVth值,以便确定它的工作状态和性能。 测量MOSFETVth值需要使用特殊的测试仪器或设备。以下是一些常用的方法: 1. 静态电流法:这种方法需要将MOSFET连接到电路,然后将电压逐步增加,直到MOSFET的静态电流开始流动。当静态电流达到一定程度时,MOSFETVth值就可以计算出来。这种方法需要准确地控制测试电路的参数,以避免损坏MOSFET。 2. 负反馈法:这种方法将MOSFET连接到负反馈电路,以获得可重复的测量结果。在负反馈状态下,MOSFETVth值可以通过测量反馈电路输出的电压来计算。 3. 小信号法:这种方法依靠MOSFET的线性范围来测量Vth值。在小信号状态下,MOSFETVth值可以通过测量输入信号和输出信号之间的电压差来计算。 总之,测量MOSFETVth值需要使用特殊的测试仪器和方法。正确的测量方法可以帮助我们准确地了解MOSFET的工作状态和性能,从而为我们的应用提供可靠的支持。

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