本文介绍了MOS管因其开关速度快、导通电压低等优点在电子设计中的广泛应用，但不当设计可能导致芯片损坏。详细探讨了NMOS和PMOS管的开关等效电路，强调了MOS管的输入输出相位相反的特性，将其与反相器和运放相联系。文章重点讨论了米勒电容（Cgd）在高速开关中引起的米勒振荡问题，并提出了解决方案，包括增大驱动电阻、增加Cgs电容或使用吸收电路。同时，提到了MOS管在高频应用时的分布电容影响，以及如何考虑其高频小信号等效电路。最后，指出在高频电路设计中需注意MOS管的最高工作频率限制。
OS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。
NMOS 管开关等效电路
PMOS 管开关等效电路
MOS管等效电路及应用电路如下图所示：
把MOS管的微观模型叠加起来，就如下图所示：
我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相工作的运放，如下图：
有了以上模型，就好办了，尤其从运放这张图中，可以一眼看出，这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分
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