51单片机入门 - DS18B20温度传感器

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DS18B20——温度传感器,单片机可以通过 1-Wire 和 DS18B20 进行通 信,最终将温度读出。1-Wire 总线的硬件接口很简单,只需要把 18B20 的数据引脚和单片 机的一个 IO 口接上就可以通信。最高12为的温度存储值,补码形式存储。
2字节,LSB低字节,MSB高字节,-55~125


 
1、初始化

检测存在脉冲:总线上存在DS18B20,总线会根据时序要求返回一个低电平脉冲。单片机要拉低这个引脚,持续大概 480us到960us之间 的时间即可,我们的程序中持续了 500us。然后,单片机释放总线,就是给高电平,DS18B20 等待大概 15 到 60us 后,会主动拉低这个引脚大概是 60 到 240us,而后 DS18B20 会主动释放总线,这样 IO 口会被上拉电阻自动拉高。

 
2、ROM操作指令

Skip ROM(跳过ROM):0xCC。当总线上只有一个器件的时候,可以跳过 ROM,不进行ROM 检测。


 
3、RAM存储器操作指令

Read Scratchpad(读暂存寄存器):0xBE—— DS18B20 的温度数据是 2 个字节,我们读取数据的时候,先 读取到的是低字节的低位,读完了第一个字节后,再读高字节的低位,一直到两个字节全部 读取完毕。
Convert Temperature(启动温度转换):0x44—— 12位最大的转换时间是 750ms


 
4、DS18B20的位写时序

当要给 DS18B20 写入‘0’的时候,单片机直接将引脚拉低,持续时间大于 60us 小于120us 就可以了。图上显示的意思是,单片机先拉低 15us 之后,DS18B20 会在从 15us 到60us 之间的时间来读取这一位,DS18B20 最早会 15us 的时刻读取,典型值是 30us 的时刻读取,最多不会超过 60us,DS18B20 必然读取完毕,所以持续时间超过 60us 即可。
       

当要给DS18B20 写入‘1’的时候,单片机先将这个引脚拉低,拉低时间大于 1us,然后马上释放总线,即拉高引脚,并且持续时间也要大于 60us。和写‘0’类似的是,DS18B20 会在 15 到 60us 之间来读取这个‘1’。


 
5、DS18B20的位读时序

单片机首先要拉低这个引脚,并且至少保持1us 的时间,然后释放引脚,释放完毕后要尽快读取。从拉低这个引脚到读取引脚状态,不能超过 15us。大家从图 16-17 可以看出来,主机采样时间,也就是 MASTER SAMPLES,是 在15us 之内必须完成的。 


#include<reg52.h>

#include<intrins.h>

 

typedef unsigned char uchar;

 

sbit IO_18B20 = P3 ^ 2; //DS18B20通信引脚

 

/* 软件延时函数,延时时间(t*10)us */

void DelayX10us(uchar t)

{

  do

  {

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

    _nop_();

  }

  while (--t);

}

/* 复位总线,获取存在脉冲,以启动一次读写操作*/

bit Get18B20Ack()

{

  bit ack;

 

  EA = 0;  //禁止总中断

  IO_18B20 = 0;     //产生500us复位脉冲

  DelayX10us(50);

  IO_18B20 = 1;

  DelayX10us(6);    //延时60us

  ack = IO_18B20;   //读取存在脉冲

  while(!IO_18B20); //等待存在脉冲结束

  EA = 1;  //重新使能总中断

 

  return ack;

}

/* 向DS18B20写入一个字节,dat-待写入字节 */

void Write18B20(uchar dat)

{

  uchar mask;

 

  EA = 0;  //禁止总中断

  for (mask = 0x01; mask != 0; mask <<= 1) //低位在先,依次移出8个bit

  {

    IO_18B20 = 0;         //产生2us低电平脉冲

    _nop_();

    _nop_();

    if ((mask & dat) == 0) //输出该bit值

    {

      IO_18B20 = 0;

    }

    else

    {

      IO_18B20 = 1;

    }

    DelayX10us(6);        //延时60us

    IO_18B20 = 1;         //拉高通信引脚

  }

  EA = 1;  //重新使能总中断

}

/* 从DS18B20读取一个字节,返回值-读到的字节 */

uchar Read18B20()

{

  uchar dat;

  uchar mask;

 

  EA = 0;  //禁止总中断

  for (mask = 0x01; mask != 0; mask <<= 1) //低位在先,依次采集8个bit

  {

    IO_18B20 = 0;         //产生2us低电平脉冲

    _nop_();

    _nop_();

    IO_18B20 = 1;         //结束低电平脉冲,等待18B20输出数据

    _nop_();              //延时2us

    _nop_();

    if (!IO_18B20)        //读取通信引脚上的值

    {

      dat &= ~mask;

    }

    else

    {

      dat |= mask;

    }

    DelayX10us(6);        //再延时60us

  }

  EA = 1;  //重新使能总中断

 

  return dat;

}

/* 启动一次18B20温度转换,返回值-表示是否启动成功 */

bit Start18B20()

{

  bit ack;

 

  ack = Get18B20Ack();   //执行总线复位,并获取18B20应答

  if (ack == 0)          //如18B20正确应答,则启动一次转换

  {

    Write18B20(0xCC);  //跳过ROM操作

    Write18B20(0x44);  //启动一次温度转换

  }

  return ~ack;   //ack==0表示操作成功,所以返回值对其取反

}

/* 读取DS18B20转换的温度值,返回值-表示是否读取成功 */

bit Get18B20Temp(int *temp)

{

  bit ack;

  uchar LSB, MSB; //16bit温度值的低字节和高字节

 

  ack = Get18B20Ack();    //执行总线复位,并获取18B20应答

  if (ack == 0)           //如18B20正确应答,则读取温度值

  {

    Write18B20(0xCC);   //跳过ROM操作

    Write18B20(0xBE);   //发送读命令

    LSB = Read18B20();  //读温度值的低字节

    MSB = Read18B20();  //读温度值的高字节

    *temp = ((int)MSB << 8) + LSB; //合成为16bit整型数

  }

  return ~ack;  //ack==0表示操作应答,所以返回值为其取反值

}

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