电子电路入门（[日]福田 务）笔记1——pn结和二极管的理解

第一部分 电子电路初学者教室

一、半导体的性质——不稳定比稳定更有用？

提问1：电子是带负电的粒子，怎样才能知道电子带负电呢？
  已知:电流就是电子的移动。电子带负电，从电源负极向正极移动，总与电流方向相反。
回答：
  通过克鲁克斯管的电子流实验观察得到：电子束（阴极射线）从负极移向正极从而带动管中的叶轮。
  故只需再证电子束就是电子即可，加上电场或磁场，会发生偏转。===》证明：阴极射线是一种带负电的微小粒子流，且可根据偏移程度可得粒子所带电量e与粒子质量之比。且更换管中气体和电极材料得到结果相同，即：电子。
  PS：得到此结果前已规定：电流为正极到负极，故电流与电子方向相反。

提问2：半导体即是不良导体也是不良绝缘体，为什么却是电子电路的主角？
回答：
  金属有大量可自由移动的电子，故作导体使用方便。橡胶因电子几乎不能移动，故作为绝佳的绝缘材料。而半导体介于二者之间，不像导体和绝缘体那般稳定（要么能通过要么不能通过），电阻率会随外界条件变化而改变，而这种不稳定却能够人为的控制，这就是半导体大放异彩的原因。

提问3：如何制作二极管和晶体管呢？
  已知:半导体是一种掺入少量杂质后就会明显改变电特性的敏感材料。
  本征半导体：纯度极高的半导体晶体。
  硅本征半导体的单晶结构发现它最外层轨道上电子（价电子）与其他原子共价结合而十分稳定。
  n型半导体：向硅本征半导体加入少量的砷（As，5价）元素。产生多余的自由电子。
  p型半导体：向硅本征半导体加入少量的硼（B，3价）元素。缺少自由电子，产生多余的空穴。
回答：
  将n型半导体和p型半导体结合，可制作出二极管和晶体管等电子器件。

二、pn结和二极管

提问4：什么是pn结？
回答：
  在制作硅晶体时，掺入了3价原子（如：硼）和5价原子（如：砷），一部分形成p型半导体区域，另一部分形成n型半导体区域。这种p型区域和n型区域连接一起的状态称为pn结。

提问5：pn结中n型区多自由电子则带负电，p型区多空穴则带正电？
回答：
  不是的，不能根据自由电子和空穴的相对多少来决定带电状态。事实上，从电荷角度看，p型区和n型区都是中性的。
  因为从传输电荷的角度讲，自由电子和空穴都是带电荷，被称为：载流子。
  半导体中电流的流动就是由于载流子移动引起的。（在p型区和n型区接触面，会产生自由电子和空穴移动，从而接触面两端聚集正、负电荷故产生电场）
  （在电场作用下），空穴或自由电子会沿电场方向或相反方向移动，称为：漂移（载流子移动方法一），形成电流称为：漂移电流。
  （在pn结接触面上）当存在载流子的浓度差时，会发生载流子从浓度高的地方向浓度低的地方移动的现象，扩散现象（载流子移动方法二）。这就造成接触面p区一侧（因空穴向n区移动）形成负电荷区。接触面n区一侧（因自由电子向p区移动）形成正电荷区。

提问6：载流子在接触面移动不止，p和n区不就完全颠倒了？
回答：
  不会的，因为正负电荷区又会产生电场阻碍自由电子和空穴移动，最终保持一种平衡。产生电场的部分称为耗尽层。耗尽层部分产生电位差阻值载流子移动，这个电位差称为电位势垒。（耗尽层越厚，电位势垒就越大）

提问7：电位势垒有什么用呢？
回答：
  因为电位势垒会阻值载流子移动，但是只有载流子移动才回形成电流，而我们有时候想要半导体中流过电流。所以必须要克服电位势垒的能量，也就是外部必须要给载流子提供跨越这部分电位差的能量。
  故半导体器件中要采用pn结，因为可事先制作这样电位势垒，通过外加能量控制越过此势垒的载流子数量。换句话说，pn结正是由于有这电位势垒才事先对电流的控制。

提问8：外加电压对电位势垒有什么影响？
回答：
  当外部对p区施加正电压，对n区施加负电压，耗尽层的宽度变窄，电位势垒降低，载流子变得活跃，所加外部电压称为：正向电压，产生电流称为正向电流。（外加电压可使空穴穿过接触面从p区进入n区，自由电子则从n区移动到p区）。
  当外部对p区施加负电压，对n区施加正电压，耗尽层的宽度变厚，电位势垒增高，载流子数量变少，所加外部电压称为：负向电压。

提问9：结型二极管的电压和电流不是线性关系，欧姆定律是否适用？
  已知：结型二极管：在pn结两端分别加上电极引线。
回答：
  不适用，有如下重要性质：
  ①具有仅允许正向电流通过的 整流 特性。
  ②电流和电压呈下图(a)所示的关系,不适用欧姆定律。这是由于半导体的电阻率受温度等外部条件影响较大的缘故。
  ③仅施加较小的正向电压就会流过较大的电流(参见下图(b))。
  ④增大反方向电压到某一数值时﹐会产生图下图(a)所示的急速增加的反向大电流。这种反向电压称为齐纳电压(又称击穿电压)。这种现象并不表示二极管被损坏,当电压减小时,二极管仍可恢复正常。