二极管与PN结

半导体与二极管

1.1半导体二极管的结构与符号

  半导体二极管也称为晶体管，简称二极管。它由一个PN结加上电极引线封装而成，二极管的文字符号为D或VD。如下图，P区引出的电极为正极，N区引出的负极。

  根据PN结面积的大小，二极管可分为点接触型、面接触型、硅平面型。其中硅平面型结面积小，结电容小，允许通过的电流也比较小，适用于高频、小电流场合，如检波电路、脉冲电路及计算机中的开关元件。面接触型，结面积大，结电容大，允许通过的电流也比较大，适合低频、大电流场合，如整型电路。
  我们都知道二极管具有加正向电压导通，加反向电压截止的特性，那么这个特性是如何产生的呢？因为它这一特性是由内部的PN结导致的，下面就介绍一下PN结。

2.1 PN结

2.1.1 PN结的形成
  PN结是由P型半导体与N型半导体有机结合而成的，其中P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为电子，而N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子为空穴。
  所以在他们的交界面处存在多数载流子空穴和自由电子的浓度差。由于扩散原理，导致多子相互扩散，从浓度高的地方扩散到浓度低的地方，P型半导体的空穴将通过二者交接处，向N型半导体中扩散，与N型半导体中的自由电子结合；同理N型半导体的自由电子也会向P型半导体扩散，如下图a。空穴与自由电子结合会产生光能，LED灯也是这个原理，能量高会呈现视网膜认为的紫光，能量低会产生红光。
  由于多子的扩散，导致了靠近P区的N型半导体缺少了电子而形成了正离子，靠近N区的P型半导体缺少了空穴而形成负离子，这样就会形成了内电场如下图b.

  当内建电场到达一定强度时，多子引起的扩散运动逐渐减弱，少子引起的漂移运动逐渐增强，最终漂移运动与扩散运动达到动态平衡，形成一定厚度的缺少载流子的空间电荷区，即PN结，也称为耗尽层。
2.1.2 PN结的单向导电性
  当扩散运动与漂移运动达到动态平衡是，扩散电流与漂移电流相等，总电流I等于0。若在PN结的两端外加电压，就可以削弱或者增强内建电场，从而改变空间电荷区的宽度，进而使其呈现单向导电性。
2.1.2 .1 PN结正向偏置
  PN结加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源的负极，此时称PN结为正向偏置。如下图，由于外加电源产生的外电场方向与内建电场方向相反，削弱了内电场，使PN结变窄，多少载流子的扩散运动增强，形成了较大电流。即在外电路形成一个P指向N的正向电流，此时PN结程现低阻，处于正向导通。

  PN结外加正向电压越大，内电场减弱程度越大，空间电荷越窄，扩散电流越大，也就是正向电流越大。
2.1.2 .1 PN结反向偏置
  PN结加反向电压，即P区接电源负极，N区接电源的正极，此时称PN结为反向偏置。如下图，由于外加电源产生的外电场方向与内建电场方向相同，增强了内电场，使PN结变宽，阻碍了多数载流子的扩散运动，增强了少数载流子的漂移运动，又由于少数载流子的数目较少，形成的漂移电流较小，即在外电路形成一个N区指向P区的的反向电流，此时PN结呈现高阻，处于反向截止状态。

  由此可见，PN结的单向导电性为：PN结正向偏置，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻脚小，处于导通状态；PN结加反向电压时，PN结变换，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态

正由于PN结的这一特性，才导致二极管的单向导通性，我们平常使用二极管时，要P极接电源的正极，N极要接电源的负极。当我们将二极管接反，而且电压比较大（6V以上），二极管会被击穿。

参考自《电子电工技术》