ESD
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计上芯头
这个作者很懒,什么都没留下…
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芯片ESD防护
在芯片的制造、运输、使用过程中,芯片的外部环境或者内部结构会积累一定量的电荷,这些积累的电荷会瞬间通过芯片的管脚进入集成电路内部,峰值电流可以达到数安培,也可能有几百伏甚至成千上万伏电压。原创 2024-02-01 20:41:59 · 2548 阅读 · 0 评论 -
芯片CDM ESD仿真建模
IC器件内部积累的电荷,无论在其寿命期间以何种方式,都可能随机分布在整个芯片中,这无法通过过于简化的集总FICDM模型进行建模。内部分布的电荷可以通过IC管芯内的分布式电容网络来建模。原创 2024-01-31 20:37:03 · 1305 阅读 · 0 评论 -
如何实现电路级别的CDM ESD防护
采用先进制程的CMOS工艺,可能具有比以前更薄的栅极氧化物和更大的芯片尺寸,大的衬底可能积累大量的电荷,导致CDM事件期间的高ESD放电峰值电流。传统CDM保护器件使用栅极接地NMOS被添加到输入级的栅极。然而,这种方法通常会在信号路径上引入显著的寄生电容,这不适合RF应用。原创 2024-01-26 10:16:06 · 1203 阅读 · 0 评论