如何实现电路级别的CDM ESD防护

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ESD类型回顾

CDM ESD Protection in 90-nm CMOS

A Multi-ESD-Path in 65-nm CMOS

全芯片ESD防护电路

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ESD类型回顾

A 24 GHz Low-Noise Amplifier Using RF Junction Varactors for Noise Optimization and CDM ESD Protection in 90-nm CMOS

Ming-Hsien Tsai, Student Member, IEEE, and Shawn S. H. Hsu, Member, IEEE

        SOC芯片通常采用先进的CMOS工艺制程，具有比以前更薄的栅极氧化物和更大的芯片尺寸，大的衬底可能积累大量的电荷，导致CDM事件期间的高ESD放电峰值电流。传统CDM保护器件使用栅极接地NMOS被添加到输入级的栅极。然而，这种方法通常会在信号路径上引入显著的寄生电容，这不适合RF应用。

        变容二极管被用作ESD保护器件，并与90nm CMOS中24GHz的LNA核心电路共同设计，ESD保护、噪声系数、增益和功耗共同优化。变容二极管与输入匹配网络共同设计，具有源极电感退化的共源共栅LNA具有减少米勒效应、改善输入/输出隔离、增强放大器稳定性以及同时进行噪声和输入匹配的可能性的优点。