weixin_42693135的博客

在芯片的制造、运输、使用过程中，芯片的外部环境或者内部结构会积累一定量的电荷，这些积累的电荷会瞬间通过芯片的管脚进入集成电路内部，峰值电流可以达到数安培，也可能有几百伏甚至成千上万伏电压。

IC器件内部积累的电荷，无论在其寿命期间以何种方式，都可能随机分布在整个芯片中，这无法通过过于简化的集总FICDM模型进行建模。内部分布的电荷可以通过IC管芯内的分布式电容网络来建模。

网分如何校准：涉及到的相关原理、校准的具体步骤。

不同校准类型优劣&TRL校准套件设计。

基板绘制工具SIP使用入门，快捷键怎么用；OSP和ENEPIG区别。

关于balun的基本概念，balun是单转双变换器，理想balun平衡输出大小相等、相位相反。另外，补充了共轭匹配的意义。

失效分析机理及常用手段&热点分析。

SOI MOSFET衬底和沟道之间是埋氧化层，衬底相对沟道区也相当于一个MOS结构，因此把SOI MOSFET的衬底叫做背栅，SOI MOSFET是五端器件：栅、源、漏、体和衬底五端。

当发射机和接收机的频率不同时，用两个滤波器组合在一起，一个滤波器用于接收，另一个用于发射，便可以组成双工器。

传输线&二端口网络&Smith圆图&阻抗匹配&混合模式S参数。

超外差接收机和零中频接收机是两种常用接收机，两种接收机都可以将RF信号转换为基带I/Q信号。

Pin每增加1dB，基波分量增加1dB, IM3分量增加3dB。如果Pin太小，输出IM分量与电路的底噪相当，从而导致结果不准确。

如何设计射频低噪声放大器及何为密勒效应。

CMOS Low Noise Amplifier Design Optimization Technique

采用先进制程的CMOS工艺，可能具有比以前更薄的栅极氧化物和更大的芯片尺寸，大的衬底可能积累大量的电荷，导致CDM事件期间的高ESD放电峰值电流。传统CDM保护器件使用栅极接地NMOS被添加到输入级的栅极。然而，这种方法通常会在信号路径上引入显著的寄生电容，这不适合RF应用。

利用ADS画电感并计算相关参数&DynamicLink应用&利用ADS进行阻抗匹配。