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原创 芯片CDM ESD仿真建模
IC器件内部积累的电荷，无论在其寿命期间以何种方式，都可能随机分布在整个芯片中，这无法通过过于简化的集总FICDM模型进行建模。内部分布的电荷可以通过IC管芯内的分布式电容网络来建模。
2024-01-31 20:37:03
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原创 芯片ESD防护
在芯片的制造、运输、使用过程中，芯片的外部环境或者内部结构会积累一定量的电荷，这些积累的电荷会瞬间通过芯片的管脚进入集成电路内部，峰值电流可以达到数安培，也可能有几百伏甚至成千上万伏电压。
2024-02-01 20:41:59
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原创 Balun基础知识及共轭匹配作用
关于balun的基本概念，balun是单转双变换器，理想balun平衡输出大小相等、相位相反。另外，补充了共轭匹配的意义。
2024-01-26 12:39:28
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原创 SOI MOSFET工艺介绍
SOI MOSFET衬底和沟道之间是埋氧化层，衬底相对沟道区也相当于一个MOS结构，因此把SOI MOSFET的衬底叫做背栅，SOI MOSFET是五端器件：栅、源、漏、体和衬底五端。
2024-01-26 11:57:36
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原创 P1dB&IP3
Pin每增加1dB，基波分量增加1dB, IM3分量增加3dB。如果Pin太小，输出IM分量与电路的底噪相当，从而导致结果不准确。
2024-01-26 11:32:33
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原创 如何实现电路级别的CDM ESD防护
采用先进制程的CMOS工艺，可能具有比以前更薄的栅极氧化物和更大的芯片尺寸，大的衬底可能积累大量的电荷，导致CDM事件期间的高ESD放电峰值电流。传统CDM保护器件使用栅极接地NMOS被添加到输入级的栅极。然而，这种方法通常会在信号路径上引入显著的寄生电容，这不适合RF应用。
2024-01-26 10:16:06
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原创 ADS仿电感&ADS手动调谐&阻抗匹配&DynamicLink&Loadpull
利用ADS画电感并计算相关参数&DynamicLink应用&利用ADS进行阻抗匹配。
2024-01-25 23:42:20
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空空如也
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