嵌入式软件管培生每日总结-第4-5天

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前言

本文为对《电路》第八章的总结以及模拟电子技术基础的相关知识

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一、《电路》第八章向量法

• 在频域中，相量形式的KVL、KCL及元件的电压、电流关系与时域中直流电阻电路中的KVL、KCL及元件的电压、电流关系之间在形式上是对应的
• 正限量的大小除用振幅表示外，也可以用有效值表示；以正弦电流i为例，其有效值用I表示且I=i的根均方值，有效值的意义在于，电阻消耗的平均功率可用有效值求解，其公式与直流时功率的表达式相同
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二、模拟电子技术基础

• 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定）的半导体
• 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？这是因为本征半导体去除了其他杂质，结构也相对稳定相比于普通半导体来说他的导电性是可控的，可以在此基础上人为地加入其他杂质增强其导电性
• N型半导体：参杂了磷（P），多子为自由电子（带负电）
• P型半导体：参杂了硼（B），多子为空穴（带正电）
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？为什么少子是影响温度稳定性的主要因素?这是因为半导体载流子密度会随温度变化而变化，导致电学性能变化。少数载流子在温度变化时，它的相对变化量非常大，这将更影响温度稳定性。例如PN结中反向饱和电流就是由少子浓度影响的，温度升高，少数载流子增加，反向饱和电流增大。每升高10℃，反向饱和电流增加一倍。
• 为什么半导体器件有最高工作频率？这是因为半导体器件的主要组成单元是PN结，PN结的显著特征是单向导电性，因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止，而这个过程是需要一定的时间的，如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成PN结失去单向导电性，导致半导体器件不能正常工作，所以半导体器件有最高工作频率的限制。
• 二极管伏安特性：（下图内容截图自https://www.dgzj.com/dianzi/62463.html）
• 当量是指温度电压当量，与热力学温度成正比，二极管的温度电压当量表示为 ：UT = kT/q。
  T为热力学温度，单位是K，T=t+273，其中t为摄氏温度；
  q是电子的电荷量,q=1.6021892×10-19C；
  k为玻耳兹曼常数，K=1.3806505×10-23J/K。
  在室温27°C左右时，（T=300 K），温度电压当量为UT≈26 mV [1] 。
• 二极管微变等效电路：其中rd=26mV/ID
• 稳压二极管：稳压二极管，是指利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管与普通二极管从特性上是有区别的，普通二极管具有单向导电性，假如它被反向击穿，不具可逆性，将永久损坏。而稳压二极管正是利用了它的反向击穿的特性，当被反向击穿时，稳压二极管反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。
• 当使用万用表的Rxlk挡测量二极管时，测得其反向电阻是很大的，此时，将万用表转换到Rx10k档，如果出现万用表指针向右偏转较大角度，即反向电阻值减小很多的情况，则该二极管为稳压二极管；如果反向电阻基本不变，说明该二极管是普通二极管，而不是稳压二极管。稳压二极管的测量原理是：万用表Rxlk挡的内电池电压较小，通常不会使普通二极管和稳压二极管击穿，所以测出的反向电阻都很大。当万用表转换到Rx10k挡时，万用表内电池电压变得很大，使稳压二极管出现反向击穿现象，所以其反向电阻下降很多，由于普通二极管的反向击穿电压比稳压二极管高得多，因而普通二极管不击穿，其反向电阻仍然很大