射频功放中的LDMOS温补电路

有些参考NXP的AN1643文档

RF LDMOS Power Modules for GSM Base Station Application: Optimum Biasing Circuit

百度文档：https://wenku.baidu.com/view/3e3c44ea551810a6f5248637.html

1、晶体管为什么要温度补偿

一般在静态时，输入不加功率时，需要把LDMOS的静态漏级电流调到设计值；而LDMOS在工作时，会发热，使晶体管温度升高，从而漏级静态电流会偏移设计值。如图1所示：例如漏级静态电流在25℃设计为200mA，则相同静态电流的情况下，所需要的Vgs以-2.168mV/℃的速率降低，若Vgs不变换，则晶体管的工作点会发生漂移，因此需要温度补偿电路，特别是大功率LDMOS。

图1 某射频大功率LDMOS的静态电流与Vgs在不同壳温的数据曲线

2、温度补偿电路设计，具有可调功能的温补电路

某三极管的温度系数，应该为负值，PN结的电压也是随温度升高而下降

 图2 三级管的温度系数

 值得注意的地方：PCB布局的时候三极管一定要放在靠近晶体管的地方