反激变换器设计

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写在前面，最近要做一个多路输出的辅助电源，就想着直接从市电整流取电来设计反激电源

反激变压器设计

\qquad 反激变压器开关模态和理想波形图很简单，这里不做分析

\qquad 设计目标：1.输入电压范围（窄范围输入176VAC~275VAC）、2.工频50Hz、3.输出电压Vo1 = 15V（0.1A），Vo2 = 15V(0.9A)，Vo3 = 5V（3A）,Vo4 = 12V(1A)，Vo5 = -12V(1A)、4.效率$\eta >80\%$。需要确定的量有，变压器匝比、原边电感量、匝数、线径、磁芯、气隙等参数。

设计流程如图

\qquad 利用磁通守恒或伏秒定理容易推得输入输出关系式
$$V_o=\frac{N_s}{Np}\frac{D}{1-D}\text{电压增益M}=\frac{N_s}{N_p}\frac{D}{1-D}$$
\qquad 确定匝比，匝比是由副边二极管，原边mos应力决定，假设工作时最大占空比Dmax = 0.45
$$\{\begin{array}{r}{V}_i=n\cdot V_o\frac{1-Dmax}{Dmax}<V_{i\_min}\\ V_{ds}=n{V}_o+V_{i\_max}<{\alpha }_1\cdot V_{ds\_max}\\ V_d=V_o+\frac{V_{i\_max}}{n}<{\alpha }_2\cdot V_{d\_max}\end{array}$$
\qquad ${\alpha }_1,{\alpha }_2$（取0.6，0.6）分别是MOS管和二极管的降额系数，在RCD合适的电路中，由于MOS管的Vds一般很大，所以一般只有输入输出关系决定右边界，带入有：
$$\begin{gathered} \frac{V_{i\_max}}{V_{d_{m}ax}\cdot {\alpha }_2}<n<min(\frac{V_{i\_min}}{V_o(1-D_{max})},\frac{V_{DSmax}\cdot {\alpha }_1-V_{i\_max}}{V_o}) \\ {n}_1=n_2=6,n_3=18,n_4{n}_4=n_5=8 \end{gathered}$$

\qquad 匝比可以不是整数，这里匝比只是初略选择，方便后续计算匝数。值得一提的是，很多文献和参考书中喜欢使用反射电压Vor来计算。

下一步确定原边电感量Lp
$$\begin{array}{r}\Delta I_p=\frac{V_i{D}_{max}}{L_{p}f}\\ def:krp=\frac{\Delta I_p}{2I_{EDC}}=\frac{\Delta I_p{U}_i{D}_{max}}{2P_i}\end{array}\}\to L_p=\frac{V_i^2{D}_{max}^2}{2k_{rp}{P}_{i}f}$$
\qquad 一般而言，设计 CCM 模式的反激变换器，宽压输入时（90～265VAC），KRF取 0.25～0.5；窄压输入时（176～265VAC），KRF取 0.4～0.8 即可。
带入计算得Lp>2.894mH，由此计算出峰值电流Ipk = 0.9376A

\qquad 选择合适的磁芯，磁芯的选择可以参考下表

\qquad 这里选择EE30/30/07磁芯进行设计。EE30/30/07相关参数如下


$$\{\begin{array}{r}\Delta B=\frac{V_{i}D{T}_s}{N_p{A}_e}=\frac{V_o(1-D)T_s}{N_s{A}_e}\\ B_{dc}={\mu }_0{\mu }_r\frac{N_p{I}_i+\sum I_o{N}_s}{l_g}\\ B_m=B_{dc}+\frac{\Delta B}{2}\end{array}$$
\qquad 考虑饱和磁密Bm,显然$\Delta B$与截面积成反比，输入电压Ui增大，Ii减小，Bdc增大，$\Delta$ B变大，Bm总体趋势是变小的，因此要在输入电压最小时设计Bm。
\qquad 选择PC95磁性材料，PC95相关参数如下，可以看到PC65的初始磁导率较大，单位体积磁芯损耗较小(剩磁、矫顽力较小)，图中可以看出饱和磁密Bs = 530mT，那么Delta B 取 400mT计算.


$$N_p=\frac{V_{i}D}{A_e\Delta Bf}$$
\qquad 带入上式和匝比得到Np = 90,Ns1 = Ns2 = 15,Ns3 = 5,Ns4 =Ns5 = 12
\qquad 校验最小截面积,变压器工作时Bmax < = 0.45T,带入计算最小Ae得75.37，小于手册的Ae
$$A_e>\frac{\psi }{N_p{B}_{max}}=\frac{L_p{I}_{pk}}{N_p{B}_{max}}$$
校验窗口面积
\qquad 变压器的磁芯窗口面积Aw要使得线圈绕下，记Sp，Ss分别是副边导线的截面积，Ku为窗口系数（0.4），J是允许的电流密度（5A/mm2）。先确定确定原边线径Sp1，副边线径SS1,SS2,SS3,SS4,SS5,高频电流在导体中会有趋肤效应，因此，在确定线经时还要计算不同频率时导体的穿透深度。计算出的线径D大于两倍的穿透深度即可，否则需要多股并绕。
$$\begin{gathered} D=1.13\sqrt{\frac{I}{J}} \\ d=\frac{1}{\sqrt{\pi f{\mu }_r{\mu }_{0}r}}\frac{66.1}{\sqrt{f}} \end{gathered}$$
\qquad 为统一线径，目前选的线径是0.3mm
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/ead4666dcbe04d5bb8eb4bf83a7c8868.png

\qquad 下面校验窗口面积
$$A_w>\frac{N_p{S}_p+\sum N_s{S}_s}{K_u}$$
\qquad 计算得Aw = 66.44mm2,符合要求.
\qquad 查阅到PC95的电感系数AL = 2100nH/N^2计算出的电感量大于原边电感量Lp，因此需要加入气隙，按照下式计算得0.383mm
$$l_g=\frac{N_p^2{\mu }_0{A}_e}{L_p}$$。
\qquad 验算Bmax,其中$\Delta B$计算值0.158T,$B_{dc}$计算值是0.3746T,Bmax=0.4536T，满足要求
$$B_{max}=B_{dc}+\frac{\Delta B}{2}\approx {\mu }_0\frac{I_{pDC}{N}_p+\sum I_{On}{N}_{P}n}{l_g}+\frac{V_{imin}{D}_{max}}{2N_p{A}_{e}f}$$
\qquad 计算损耗Pt
\qquad 绕组损耗Pw计算值1.889W
$$P_w=I_{pRMS}^2{R}_p+\sum I_{sRMS}^2{R}_s=I_{pRMS}^2\frac{N_{p}MLT}{n_p\pi r_p^2\gamma }+I_{sRMS}^2\frac{N_{s}MLT}{n_s\pi r_s^2\gamma }$$
\qquad 磁芯损耗由下式估算或由B/Pv曲线给出，估算得1.6W
$$P_c=C_m\cdot f^{\alpha }(\frac{\Delta B}{2}{)}^{\beta }\cdot V_e$$
\qquad 为方便计算，按照上述步骤，做了一个excel表格。上述的计算和相关的磁性器件手册链接: 反激电源学习

实物图分析

变压器等效模型

\qquad 当然，在原边和副边都存在分布电容，但一般可以忽略不计，变压器绕组模型如前面所示，可以使用电桥测试同名端
\qquad 实物图直接给出如下

\qquad 这里的主要难点在于使用TL431构成的反馈电路，这涉及到开关电源控制环路设计的知识，很麻烦，这里先不分析。

\qquad 开关电源的学习主要分为，开关模态学习、磁性元器件设计、小信号建模、控制环路设计、离散化（数字）控制、热管理等，每一个过程对我来说都好难啊，呜呜呜