通信电子电路(二十三)作业讲解 第四章

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从题干强调调制系数,我们估计这个调制方式就是普通的AM,包含两个边带和载波carrier wave 因此
P = P c + 2 P S B = ( 1 + m a 2 2 ) P c P=P_c+2P_{SB}=(1+\frac{m_a^2}{2})P_c P=Pc+2PSB=(1+2ma2)Pc
当调制系数 m a = 1 m_a=1 ma=1 P S B = 1 4 m a 2 P c = 250 W P_{SB}=\frac{1}{4}m_a^2P_c=250W PSB=41ma2Pc=250W
P = P c + 2 P S B = 1500 W P=P_c+2P_{SB}=1500W P=Pc+2PSB=1500W

同理,当调制系数 m a = 0.7 m_a=0.7 ma=0.7 P S B = 1 4 m a 2 P c = 250 W P_{SB}=\frac{1}{4}m_a^2P_c=250W PSB=41ma2Pc=250W
P = P c + 2 P S B = 1245 W P=P_c+2P_{SB}=1245W P=Pc+2PSB=1245W

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题干翻译:

(1)AM信号频谱特点:中间是载波信号, ω c \omega_c ωc,左右两个边带 ω c − Ω \omega_c-\Omega ωcΩ以及 ω c + Ω \omega_c+\Omega ωc+Ω,其中 Ω \Omega Ω是调制信号(源信号),如图
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而DSB就是去掉了中间的载波频谱,只保留边带,降低总功率,如图:
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而SSB进一步利用边带对称,只保留一个边带,将功率降到最低

现在,我们很容易判断, u 1 u_1 u1是普通的AM信号,而 u 2 u_2 u2是DSB-AM信号
我们利用积化和差可以处理一下:
u 1 = 2 c o s 2000 π t + 0.3 c o s 1800 π t + 0.3 c o s 2200 π t = 2 ( 1 + 0.3 c o s 200 π t ) c o s 2000 π t u_1=2cos2000\pi t+0.3cos1800\pi t+0.3cos2200\pi t=2(1+0.3cos200\pi t)cos2000\pi t u1=2cos2000πt+0.3cos1800πt+0.3cos2200πt=2(1+0.3cos200πt)cos2000πt
由此可以提取出以下参数:

  • U c m = 2 V U_{cm}=2V Ucm=2V
  • m a = 0.3 m_a=0.3 ma=0.3
  • Ω = 200 π \Omega=200\pi Ω=200π
  • ω c = 2000 π \omega_c=2000\pi ωc=2000π

u 2 u_2 u2呢?其实细心的你应该发现, u 2 u_2 u2就是 u 1 u_1 u1去掉载波后的DSB-AM,那么之前提取的参数对这个DSB仍然有效 两者参数相同
(2)注意“unit resistor”,所以负载就是 1 Ω 1\Omega 1Ω,由
P = P c + 2 P S B P=P_c+2P_{SB} P=Pc+2PSB
P c = U c m 2 2 R = 2 W P_c=\frac{U_{cm}^2}{2R}=2W Pc=2RUcm2=2W
P S B = 1 4 m a 2 P c = 0.045 W P_{SB}=\frac{1}{4}m_a^2P_c=0.045W PSB=41ma2Pc=0.045W
可以得到:
P = 2.09 W P=2.09W P=2.09W
u 2 u_2 u2 u 1 u_1 u1去掉载波的DSB-AM信号,因此总功率 P = 2 P S B = 0.09 W P=2P_{SB}=0.09W P=2PSB=0.09W
可以看到,DSB相对于原始的AM做了多么有用的功率优化:)

(3)带宽我们用Hz为单位表示的话, B u 1 = B u 2 = 2 Ω 2 π = 200 H z B_{u1}=B_{u2}=\frac{2\Omega}{2\pi}=200Hz Bu1=Bu2=2π2Ω=200Hz

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题干翻译:

(1)C的范围应该满足两个因素:

  • 检波效率 η d \eta_d ηd越高越好
  • 不发生失真

我们希望检波效率趋近于100% ,就要满足:
R L C > > 1 f c R_LC>>\frac{1}{f_c} RLC>>fc1
同时,我们要避免对角线失真:
C < 1 − m a 2 m a × 1 Ω R L = 0.15 p F C<\frac{\sqrt{1-m_a^2}}{m_a}\times \frac{1}{\Omega R_L}=0.15pF C<ma1ma2 ×ΩRL1=0.15pF
215 p F < < C < < 0.15 μ F 215pF<<C<<0.15\mu F 215pF<<C<<0.15μF
另外,根据公式可得 R i n = R L 2 η d = 5 k Ω R_{in}=\frac{R_L}{2\eta_d}=5k\Omega Rin=2ηdRL=5kΩ
这里,我们设计的是让检波效率尽量趋近于100% 因此得到输入电阻为 5 k Ω 5k\Omega 5kΩ

(2) 同理,我们希望检波效率趋近于100% ,就要满足: R L C > > 1 f c R_LC>>\frac{1}{f_c} RLC>>fc1
同时,我们要避免对角线失真: C < 1 − m a 2 m a × 1 Ω R L = 0.11 n F C<\frac{\sqrt{1-m_a^2}}{m_a}\times \frac{1}{\Omega R_L}=0.11nF C<ma1ma2 ×ΩRL1=0.11nF
3.3 p F < < C < < 0.11 n F 3.3pF<<C<<0.11nF 3.3pF<<C<<0.11nF
另外,根据公式可得 R i n = R L 2 η d = 5 k Ω R_{in}=\frac{R_L}{2\eta_d}=5k\Omega Rin=2ηdRL=5kΩ η d → 100 \eta_d \to100% ηd100, 因此得到输入电阻为 5 k Ω 5k\Omega 5kΩ

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(1)因为放电速度太慢导致的对角线失真,我们可以避免,由
R L < 1 − m a 2 m a × 1 Ω C = 11.9 K Ω R_L<\frac{\sqrt{1-m_a^2}}{m_a}\times\frac{1}{\Omega C}=11.9K\Omega RL<ma1ma2 ×ΩC1=11.9KΩ

(2)为了避免割底失真,有:
m a ≤ R i R i + R L → R i ≥ 47.6 K Ω m_a≤\frac{R_i}{R_i+R_L} \to R_i≥47.6K\Omega maRi+RLRiRi47.6KΩ

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为了避免在混频器应用中的副波道干扰,由
f M = p q f L ± 1 q f I → f c = q p f M − p ± 1 p f I f_M=\frac{p}{q}f_L\pm\frac{1}{q}f_I \to f_c=\frac{q}{p}f_M-\frac{p \pm1}{p}f_I fM=qpfL±q1fIfc=pqfMpp±1fI
我们取以下几种情况来分析:
p = 1 , q = 1 , f c 1 = 700 k H z , f c 2 不 在 接 受 范 围 之 内 p=1, q=1, f_{c1}=700kHz, f_{c2}不在接受范围之内 p=1,q=1,fc1=700kHz,fc2

p = 1 , q = 0 , f c 1 , f c 2 都 不 在 接 受 范 围 之 内 p=1, q=0, f_{c1}, f_{c2}都不在接受范围之内 p=1,q=0,fc1,fc2

p = 1 , q = 2 , f c 1 = 1400 k H z , f c 2 不 在 接 受 范 围 之 内 p=1, q=2, f_{c1}=1400kHz, f_{c2}不在接受范围之内 p=1,q=2,fc1=1400kHz,fc2

p = 1 , q = 3 , f c 1 = 1170 k H z , f c 2 不 在 接 受 范 围 之 内 p=1, q=3, f_{c1}=1170kHz, f_{c2}不在接受范围之内 p=1,q=3,fc1=1170kHz,fc2

综上所述,在 f c 1 = 1170 k H z f_{c1}=1170kHz fc1=1170kHz出现了4阶副波段干扰,在 f c 1 = 1400 k H z f_{c1}=1400kHz fc1=1400kHz出现了3阶副波段干扰

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