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基准
基准
模拟是个坑
这个作者很懒,什么都没留下…
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基准的反馈极性问题
原创 2020-09-12 10:00:06 · 551 阅读 · 0 评论 -
电路启动问题
原创 2020-08-13 19:15:39 · 486 阅读 · 0 评论 -
电流镜稳定性
原创 2020-06-22 23:16:06 · 396 阅读 · 0 评论 -
MOS管串联
MOS管串联I-V曲线本来应该一样,但是由于effL,PSE的存在,以及间接导致的DIBL,都会让这两个曲线有区别长沟道器件,两者近似。短沟道器件差别大。其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。使用两个(或多个)串联,提高L。我认为好处如下:正如二楼所说,避免使用倒比管(W/L远小于1时);通过拆分为多个管子串联时,在layout上容易布局、匹配;串联时,如果SD电压降低,一个管子进入线性区,但可保证另外一个工作在饱和区。单纯从w/l考虑,也应该考虑背栅效应的影响低功耗中常用到两原创 2020-06-05 17:53:37 · 23551 阅读 · 3 评论 -
带隙基准、电流源
带隙基准、电流源原创 2020-06-05 17:49:55 · 2704 阅读 · 0 评论