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工艺
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模拟是个坑
这个作者很懒,什么都没留下…
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电阻选取
这几种电阻的特性书上都有说明,就不多说了除了做上下拉电阻,ESD中会用到nwell电阻外,其他情况尽量选择poly电阻poly电阻具有较好的温度和电压特性nwell 电阻的变化量太大,一般就用non silicide poly电阻,silicidepoly电阻方块阻值好像比较小吧考虑温度特性,电压特性,方块电阻随工艺的变化,根据电阻大小考虑layout。...原创 2020-06-28 19:28:50 · 3112 阅读 · 0 评论 -
国内主流foundry工艺
smic 中芯国际,目前是国内最大的代工厂,工艺也比较先进,基本能够跟上一线代工厂如tsmc/umc的工艺更新,但是通常会落后一代。现在能够提供90nm的代工服务,据说65nm工艺的标准单元库也在开发中,45nm工艺已经得到IBM授权开发。hjtc 苏州和舰科技,是UMC通过海外注册在大陆投资的,目前看到和舰能做到0.18umGSMC 宏力半导体,以memory见长,目前能够提供到0.13um的代工服务,据说最近与华虹合作建12寸生产线HHNEC 华虹NEC,最初于nec合资建立,现在据说能够.原创 2020-06-11 18:29:55 · 6710 阅读 · 2 评论 -
根据PDK仿真得到MOSEFET的手算参数(K,Vth)
根据PDK仿真得到MOSEFET的手算参数(K,Vth)原创 2020-06-11 15:47:58 · 1294 阅读 · 0 评论 -
工艺角
原创 2020-06-10 19:50:17 · 1207 阅读 · 1 评论 -
MOS管的漏电流
通常在理想状况下,如果mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底之间是两个pn结。即使mos管没有沟道,漏源之间还是有反向的饱和电流,这就是所谓的漏电流。当然,由于漏电流的存在,整个电路的静态功耗会有所增加channel leakage , gate leakage泄漏电流主要是亚阈值电流,pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成,而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要,温度升高,阈值电压降低,亚阈值电流增大,同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系,那么温度升高,方向饱和电流加大。温度升高,原创 2020-06-10 17:33:52 · 32878 阅读 · 3 评论 -
total variation、global variation、local variation
global variation 全局工艺偏差,指的是同一个器件在不同芯片间的偏差。相对的 local variation,局部工艺偏差,指的是同一个器件在同一芯片不同区域的偏差。The global corner is used to only express the process global variation which include die to die, wafer to wafer and lot to lot variation.就是说global corner 是指的包含 die2d原创 2020-06-10 17:31:40 · 7359 阅读 · 3 评论 -
NOMS管和PMOS管的区别
NOMS管和PMOS管的区别首先,单从性能上讲,pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子,而pmos导电是空穴,电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右,导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句,迁移率是单位电场内载流子的运动速度。另外,对于给定的器件尺寸和偏置电流,nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗,为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。不是说pmos就一无是处了,在实际的CMOS工艺中,我们常常采用nwell原创 2020-06-08 17:13:34 · 4132 阅读 · 0 评论 -
DIBL vs. 源漏穿通 vs.
DIBL vs. 源漏穿通 vs.DIBL效应,是漏端引入的势垒降低(DIBL,Drain Induced Barrier Lowering)效应,指的是是小尺寸场效应晶体管(FET)中所出现的一种不良现象。这是小尺寸场效应晶体管(FET)中所出现的一种不良现象,即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时,沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区,并导致源极端势垒高度降低,从而源区注入到沟道的电子数量增加,结果漏极电流增加。沟道长度越短,DIBL效应就越严重。实际上,DIBL效应往往与原创 2020-06-05 21:13:24 · 10302 阅读 · 0 评论 -
PDK文档的作用
foundry提供的pdk是连接代工厂与设计公司的一个很重要的桥梁!pdk主要包含:1、器件模型(Device Model):由Foundry提供的仿真模型文件;Symbols & View:用于原理图设计的符号,参数化的设计单元都通过了SPICE 仿真的验证;2、CDF(Component Description Format,组件描述格式) & Callback:器件的属性描述文件,定义了器件类型、器件名称、器件参数及参数调用关系函数集Callback、器件模型、器件的各种视图格原创 2020-06-05 21:12:49 · 8223 阅读 · 0 评论 -
PN结
PN结原创 2020-06-05 21:11:25 · 229 阅读 · 0 评论 -
BCD工艺、CMOS工艺、BiCMOS工艺
BCD工艺、CMOS工艺、BiCMOS工艺**BCD工艺:**BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体(ST)公司率先研制成功,这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOS 和DMOS 器件,称为B C D 工艺。BCD 工艺技术的发展不像标准CMOS 工艺那样,一直遵循Moore 定律向更小线宽、更快的速度方向发展。BCD 工艺朝着三个方向分化发展:高压、高功率、高密度。BCD工艺集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件,综合了高速、强负载驱动能力、集成度高和低功耗的优原创 2020-06-05 18:46:07 · 24953 阅读 · 2 评论 -
MOS管的温度系数
MOS管的温度系数原创 2020-06-05 18:45:44 · 3617 阅读 · 0 评论 -
MOS电容
MOS电容原创 2020-06-05 17:47:22 · 1200 阅读 · 0 评论 -
电容类型
电容类型原创 2020-06-05 17:39:32 · 10126 阅读 · 0 评论