silvaco
根正苗红好青年
这个作者很懒,什么都没留下…
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以后Silvaco文章会更的少一点了,在学Sentaurus
往后会陆续更一些sentaurus的文章,因为在做功率器件,silvaco在这方面的表现并不是很好,但是还是会继续和大家交流silvaco的使用的,也希望有使用sentaurus的朋友一起交流原创 2020-12-07 16:17:57 · 2830 阅读 · 6 评论 -
silvaco学习日记(九)--比较成功的一次仿真
还是对之前的n型igbt进行仿真,不过这次仿真的现象是温度对于igbt 的开启电阻的影响,这次是比较成功的一次仿真。我们代码如下:go atlas simflag="-p 16"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=0.3 spac=0.01x.mesh loc=0.9 spac=0.01x.mesh loc=1.3 spac=0.01x.mesh loc=1.5 spac=0.01x.mesh loc=1.6 spac=0.原创 2020-11-21 11:38:46 · 6567 阅读 · 15 评论 -
silvaco学习日记(八)--对界面电荷问题的解决
在之前的仿真中,我一直致力于改变碳化硅与二氧化硅之间的界面电荷密度的值来观察阈值电压与开启电阻之间的关系。由于感觉界面电荷全是电子,因此P-IGBT应该会出现不一样的结果。器件结构代码如下:go atlas simflag="-p 6"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=0.3 spac=0.01x.mesh loc=0.9 spac=0.01x.mesh loc=1.3 spac=0.01x.mesh loc=1.5 spac=0.01原创 2020-11-19 19:01:37 · 3139 阅读 · 1 评论 -
silvaco学习日记(七)--对之前一些问题的解决以及一些新的问题
在之前的博客中,我写出了最近仿真中的一些问题:①内存分布不足问题;②仿真所得曲线与文献中的曲线不符合问题;③只有将栅极的长度加长才可以得到比较理想的曲线。以下的仿真是基于文献“”结构仿真的代码如下:go atlas simflag="-p 4"mesh width=1x.mesh loc=0 spac=0.2x.mesh loc=3 spac=0.1x.mesh loc=9 spac=0.1x.mesh loc=13 spac=0.1x.mesh loc=15 spac=0.1x.mes原创 2020-11-18 22:01:15 · 4870 阅读 · 6 评论 -
Silvaco学习日记(六)--很失败的仿真
最近这几天一直在做关于某篇文献的仿真,文献为:Device design assessment of 4H–SiC n-IGBT – A simulation study其中,我犯了两个巨大的错误:①不知道这篇文献是用什么软件模拟的,但我天真的以为就是silvaco可能是有一部分比较兴奋的原因。②准备不够详细,没有很耐心的看完整篇文献的细节,不同于之前看文献,对文献的结果进行仿真需要知道很多详细的数据才能出现类似的结果,但是我之前养成的习惯是看趋势,分析其中的物理原因,因此这次也是比较愚蠢的错误。首原创 2020-11-15 17:31:10 · 6929 阅读 · 7 评论 -
silvaco学习日记(五)--改变材料参数并且使用
用了很久才改变材料的参数并且使用,主要原因还是被之前的编程语言所束缚,将自定义材料的语句放在了比较靠前的位置,而实际上,这些语句应该放在最后面我们先看一下改变材料参数的语句:material material=sic-4H permittivity=9.66 eg300=3.26 \ egalpha=6.5e-4 egbeta=1300 vsat=2.0e7 ksrhgn=-1.7 ksrhgp=-1.7 \ ksrhtn=5e-9 ksrhtp=2e-7原创 2020-11-11 21:05:55 · 6636 阅读 · 1 评论 -
silvaco学习日记(五)-解决只能在矩形内填充材料的问题
在进行结构仿真的时候遇到了一个问题,目前还没有解决在文献中,看到IGBT的结构为:可以看到这个IGBT的栅极相对于阴极是突出的,因此我在仿真时也想这么写,但是出现了一个问题,问题代码如下:go atlas simflag="-p 4"mesh space.mult=1.0x.mesh loc=0 spac=0.02x.mesh loc=2 spac=0.05x.mesh loc=4 spac=0.05x.mesh loc=4.5 spac=0.05x.mesh loc=5 spac=0.原创 2020-11-09 17:02:44 · 1940 阅读 · 2 评论 -
silvaco学习日记(四)
之前在程序里对nMOS在漏极电压为0.1V时,增加栅极电压提取漏极电流跑出了较理想的曲线,但是之后固定栅极电压增加漏极电压看漏极电流时却出现了问题。具体代码如下:mesh inf=nMOS_atlas_3.strmodels mosinterface qf=3e10method newton itlimit=25 maxtrap=4solve initsolve vgate=2log outf=IdVd_vg_2.logsolve vdrain=0 vstep=0.05 vfinal原创 2020-11-06 09:26:00 · 3341 阅读 · 2 评论 -
silvaco学习日记(三)--nMOS工艺仿真详细过程
在这之前作者一直认为silvaco是一个像是其他的编辑器一样根据代码写东西的编译器,但其实不是,我的思想被之前用过的传统编译器所束缚,silvaco其实是一个交互式的软件,因此我们不用特意进行语言的记忆与理解,当然这些都是我在进行了工艺仿真之后才得出的结论,由于工艺仿真更加贴近实际的器件,因此以后大概率使用工艺仿真。我们还是先来看代码,但是不同的是这次会介绍怎么进行交互操作,个人认为这才是silvaco的正确使用方式。go athena#line x loc=0.00 spac=0.05line原创 2020-11-03 10:32:54 · 21535 阅读 · 18 评论