Silvaco学习日记(六)--很失败的仿真

博主分享了在尝试模拟一篇关于4H-SiC n-IGBT器件设计评估文献时遇到的困难。错误包括未确认文献所用软件、准备不足且忽视细节,以及使用非正版Silvaco导致的内存分配问题。通过展示仿真代码和结果,博主指出结构设计、模型选择和内存限制等是失败的原因,并表达了将继续学习和改进的决心。
摘要由CSDN通过智能技术生成

最近这几天一直在做关于某篇文献的仿真,文献为:Device design assessment of 4H–SiC n-IGBT – A simulation study
其中,我犯了两个巨大的错误:
①不知道这篇文献是用什么软件模拟的,但我天真的以为就是silvaco可能是有一部分比较兴奋的原因。
②准备不够详细,没有很耐心的看完整篇文献的细节,不同于之前看文献,对文献的结果进行仿真需要知道很多详细的数据才能出现类似的结果,但是我之前养成的习惯是看趋势,分析其中的物理原因,因此这次也是比较愚蠢的错误。
首先我们先看文献中给的器件结构以及参数:
在这里插入图片描述
可以看到结构并不复杂,而且左边的掺杂浓度的图真的很像是silvaco,但是TCAD软件这么多,为什么一定是silvaco别的应该也可以达到类似的效果。然后,我开始对器件结构进行仿真,仿真代码如下:

go atlas simflag="-p 6"

mesh space.mult=1.0
x.mesh loc=0 spac=0.05
x.mesh loc=3 spac=0.1
x.mesh loc=9 spac=0.1
x.mesh loc=13 spac=0.1
x.mesh loc=15 spac=0.1
x.mesh loc=16 spac=0.1
x.mesh loc=22 spac=0.1

y.mesh loc=-0.1 spac=0.2
y.mesh loc=-0.05 spac=0.2
y.mesh loc=0 spac=0.05
y.mesh loc=0.25 spac=0.05
y.mesh loc=0.5 spac=0.05
y.mesh loc=140 spac=2
y.mesh loc=142 spac=0.05
y.mesh loc=145 spac
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