最近这几天一直在做关于某篇文献的仿真,文献为:Device design assessment of 4H–SiC n-IGBT – A simulation study
其中,我犯了两个巨大的错误:
①不知道这篇文献是用什么软件模拟的,但我天真的以为就是silvaco可能是有一部分比较兴奋的原因。
②准备不够详细,没有很耐心的看完整篇文献的细节,不同于之前看文献,对文献的结果进行仿真需要知道很多详细的数据才能出现类似的结果,但是我之前养成的习惯是看趋势,分析其中的物理原因,因此这次也是比较愚蠢的错误。
首先我们先看文献中给的器件结构以及参数:
可以看到结构并不复杂,而且左边的掺杂浓度的图真的很像是silvaco,但是TCAD软件这么多,为什么一定是silvaco别的应该也可以达到类似的效果。然后,我开始对器件结构进行仿真,仿真代码如下:
go atlas simflag="-p 6"
mesh space.mult=1.0
x.mesh loc=0 spac=0.05
x.mesh loc=3 spac=0.1
x.mesh loc=9 spac=0.1
x.mesh loc=13 spac=0.1
x.mesh loc=15 spac=0.1
x.mesh loc=16 spac=0.1
x.mesh loc=22 spac=0.1
y.mesh loc=-0.1 spac=0.2
y.mesh loc=-0.05 spac=0.2
y.mesh loc=0 spac=0.05
y.mesh loc=0.25 spac=0.05
y.mesh loc=0.5 spac=0.05
y.mesh loc=140 spac=2
y.mesh loc=142 spac=0.05
y.mesh loc=145 spac