sentaurus学习日记(二)--器件特性提取

最新推荐文章于 2025-04-16 10:09:58 发布

根正苗红好青年

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分类专栏：半导体器件仿真 sentaurus

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43262021/article/details/113061267

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本文是Sentaurus学习系列的第二篇，主要介绍如何在2018版中进行器件特性的提取。作者强调，不同版本可能产生不同结果，但可通过调整材料参数适应。文章包含代码展示，并提到电极块、物理模型、数学部分和求解过程的设置。尽管作者对某些部分的理解不深，但仍分享了器件特性的基本流程，并预告了后续关于3D器件设计和动态特性仿真的分享。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

上一次已经写了以下关于器件结构的仿真，这一次就写一下器件的特性，所使用的sentaurus的版本为2018版，可能会因为版本问题而导致跑出来的结果不一样，但是可以修改材料参数，我使用的是2018版自带的4H-SiC材料参数。很多材料参数可以从http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html来查找，不过有些参数比较老，个人建议还是使用新的软件自带的参数。
OK，还是老规矩，先上代码


Electrode {
   

   {
    Name="emitterright" Voltage= 0.0 }
   {
    Name="emitterleft" Voltage= 0.0 }
   {
    Name="gate"  Voltage= 0.0 material= PolySi(N)}
   {
    Name="collector" Voltage= 0.0}
   
}

File {
   
   Grid= "@tdr@"
   Plot= "@tdrdat@"
   Current= "@plot@"
   Output= "@log@"
   Parameter= "@parameter@"
}

Physics {
   

		Recombination (
			SRH(DopingDep TempDep)
			Auger

		)
		Aniso	(
			eMobilityFactor (Total) = 0.83
			hMobilityFactor (Total) = 1.00
		)
		
	  Mobility (
		DopingDependence
		HighFieldSaturation
		Enormal
	)
	IncompleteIonization
	EffectiveIntrinsicDensity ( oldSlotboom NoFermi )

}

#Physics(MaterialInterface= "SiliconCarbide/Oxide") {Traps (FixedCharge Conc=2e12)}
Plot {
   
   TotalCurrentDensity/vector
   eDensity hDensity
   eCurrent hCurrent
   ElectricField/vector
   eQuasiFermi hQuasiFermi
   egradQuasiFermi hgradQuasiFermi
   Potential Doping SpaceCharge
   SRH Auger
   AvalancheGeneration
   eAvalanche hAvalanche
   eMobility hMobility
   DonorConcentration AcceptorConcentration
   Doping
   eVelocity hVelocity
   BarrierTunneling
   ConductionBandEnergy ValenceBandEnergy BandGap
   eQuasiFermi hQuasiFermi
   NonLocal
}

Math {
   
	
	ExtendedPrecision(128)
	Iterations= 50
	Notdamped&#

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