sentaurus学习笔记（一）器件仿真

最新推荐文章于 2024-09-26 20:11:50 发布

根正苗红好青年

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分类专栏：半导体器件仿真 sentaurus

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43262021/article/details/112524665

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本文介绍了如何使用Sentaurus进行结构仿真和器件特性提取，通过一个经典的N型IGBT结构示例，详细解析了Sentaurus的代码书写，包括区域定义、掺杂、接触和网格细化等关键步骤。

摘要由CSDN通过智能技术生成

之前有跟大家说，以后转到sentaurus，因此silvaco会用的比较少，结果发现真的有一点贪心厌旧的感觉，现在基本上不用silvaco(lll￢ω￢)故这篇文章，将为大家带来的是关于sentaurus的结构仿真和器件的特性的提取。我们还是老规矩，先上结构图。
在这里插入图片描述
还是一个经典的IGBT结构，这是一个典型的N型IGBT，下面我将把一些相关的结构，和具体的写法用下面一幅图表达出来。

这里因为方便看，我们把器件的比例画的比较抽象。可以看到的是，这里有很多的距离参数是用一些变量名来写的，这也是sentaurus比silvaco方便的地方，有了变量名，随便改对变量的赋值，因此在以后修改器件的时候也会方便很多。下面为整个器件结构的代码。

(sde:clear)

(sdegeo:set-default-boolean "ABA")

(define Lg 13.5)
(define Lr 0.5)
(define Le 8)
(define Lj 3.5)
(define Lc 0.5)
(define Ls 12)
(define Lh 3)
(define Tg 0.05)
(define To 0.05)
(define Te 0.25)
(define Tw 0.5)
(define Td 140)
(define Tb 2)
(define Ti 3)
(define Tc 0.5)

;structure
;(sdegeo:create-rectangle
;	(position (+ Lj Lc) Tc 0) (position Lj 0 0)
;	"SiliconCarbide" "channel2")
;(sdegeo:create-rectangle
;	(position (* -1 (+ Lj Lc)) Tc 0) (position (* -1 Lj) 0 0)
;	"SiliconCarbide" "channel3")
;-drift
(sdegeo:create-rectangle
  (position (* (+ (+ Lg Lr) Le) -1.0) (+ Tg To) 0)   (position (+ (+ Lg Lr) Le) (+ (+ Tg To) Td) 0)
	"SiliconCarbide" "R.Drift" )
;-Channel
;(sdegeo:create-rectangle
;	(position Lj (+ Tc (+ To Tg)) 0) (position (* -1 Lj ) (+ To Tg) 0)
;	"SiliconCarbide" "Channel")
;-well
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (* (+ (+ Lg Lr) Le) -1.0) (+ Tg To) 0 )  (position (* -1.0 Lj) (+ (+ Tg To) Tw) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.WellLeft" )
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (+ (+ Lg Lr) Le) (+ Tg To) 0 )  (position Lj (+ (+ Tg To) Tw) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.WellRight" )
;-Source 
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (* (+ (+ Lj Lc) Ls) -1) (+ Tg To) 0 )  (position (* (+ Lj Lc) -1.0) (+ (+ Tg To) Te) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.SourceLeft" ) 
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (+ (+ Lj Lc) Ls) (+ Tg To) 0 )  (position (+ Lj Lc) (+ (+ Tg To) Te) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.SourceRight" )
;-high concentration well
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (* (+ (+ Lg Lr) Le) -1) (+ Tg To) 0 )  (position (* (+ (+ Lj Lc) Ls) -1) (+ (+ Tg To) Te) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.HighConcentrationLeft" )
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (+ (+ Lg Lr) Le) (+ Tg To) 0 )  (position (+ (+ Lj Lc) Ls) (+ (+ Tg To) Te) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.HighConcentrationRight" )
;-Buffer Layer
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (+ (+ Lg Lr) Le) (+ (+ Tg To) Td) 0 )  (position (* (+ (+ Lg Lr) Le) -1) (+ (+ Tg To) (+ Td Tb) ) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.Buffer" )
;-Injector
(sdegeo:create-rectangle 
  (position (+ (+ Lg Lr) Le) (+ (+ Tg To) (+ Td Tb)) 0 )  (position (* (+ (+ Lg Lr) Le) -1) (+ (+ (+ Tg To) (+ Td Tb)) Ti) 0 ) 
  "SiliconCarbide" "R.Injector" )
;-Gate
;(sdegeo:create-rectangle
;	(position  (&#