【模拟电路设计理解】：小信号（AC）和大信号（DC）

1. 小信号和大信号的符号表示

• 小写字符大写角标：直流信号和交流信号
• 全为大写：直流信号（大信号）
• 全为小写：交流信号
  
• gm是小信号的概念

• 在进行小信号分析时，Voltage source 短路，Current source 开路
• 分析步骤为：

1. 利用平方律公式计算DC偏置点
2. 利用step1得到的DC工作点计算小信号AC参数，小信号AC参数是直流工作点的函数
3. 用小信号模型替代MOSFET， 此时DC源需要删除（Voltage source 短路，Current source 开路）

2. 举例说明DC和AC电压与电流

• 对于MOS管来说，电流和宽长比都已经确定。

• 1. DC分析：M1和M2的gates都是0.25V。由于M1和M2的S端连接在一起，因此$V_{GS1}=V_{GS2},I_{D1}=I_{D2}$。而实际的gate-source电压可以按照以下公式计算（KPn = 120，KPp = 40）
  M1和M2的gate-source电压为：
  
  M3的gate-source电压：
  
  
  M3在饱和区：
  
  对于M4来说，很容易处于triode区域。对于PMOS来说，处于饱和区的条件是：
  
  M4的gate接GND，因此VD需要小于VTHP=0.9V才能位于饱和区（saturation），根据VSG电压和ID求出VSD电压：
  
  可以得出M4的VSD=8.13mV，M4和M2的drains是4.992V接近VDD，M2很明显工作在饱和区， M4可被等效为电阻，阻值为：
  ，也可以直接用VSD/ID求出阻值大小。

• 2. AC分析：
  首先计算跨导gm,
  
  

将M4看做一个阻值为407欧姆的电阻，其中M3可以用一个1/gm3的电阻来代替，这是因为M3的AC电压有$v_{sg}=v_{sd}$，AC电流有:
$$\frac{1}{g_m}=\frac{v_{sg}}{i_d}=\frac{v_{sd}}{i_d}$$

注意：在AC分析中出现负值说明总体的AC+DC在下降

因此有以下结论：

交流电流/电压压为：