普通二极管、快恢复二极管、瞬态抑制二极管、肖特基二极管、齐纳二极管

普通硅二极管
普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频（开关频率不高于1KHz）的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复（一般在5us以上）而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁；正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别能达到数千安和数千伏以上。

快恢复二极管
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，但大都采用改进的PIN结构，特别是采用外延型pin结构得所谓快恢复外延二极管（FRD）,其反向回复时间更短（50ns），正向压降也很低（0.9V），一般快恢复二极管其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

肖特基二极管
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD），具有正向压降低（0.4–0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。其耐压较低，但是它的恢复速度快，多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速_{！电气特性当然都是二极管阿}！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

瞬态电压抑制二极管（TVS管）
瞬态电压抑制二极管常称为防雷管，是一种安全保护器件。这种器件在电路系统中起到分流、箝位作用，可以有效降低用于雷电、电路中开关通断时产生的高压脉冲，避免雷电、高压脉冲损坏其它器件。
瞬态电压抑制二极管有单向、双向两种。单向的图形符号与稳压管相似，TVS器件按极性可分为单极性和双极性两种；按用途可分为通用型和专用型；按封装和内部结构可分为轴向引线二极管、双列直插TVS阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可达400 W、500 W、600W、1500W和5 000W。其中大功率的产品主要用在电源反馈线上，低功率产品主要用在高密度安装场合。对于高密度安装的场合，也可以选择双列直插和表面贴装等封装形式。当输入端有高压浪涌脉冲引入时，不论脉冲方向如何，TVS管能快速进入击穿状态，对输入电压进行箝位。

齐纳二极管(又叫稳压二极管)
此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为"偏压"增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为"击穿"电压或"齐纳"电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
应用电路。

二极管
普通二极管，一般用在低频检波或者整流电路中，主要用来整流，将交流电变成脉动直流电。
肖特基二极管, 快恢复二极管，用在高频或者超高频检波或者整流电路中，用于开关电路或者保护电路，功率较小。
双向触发二极管, 用在双向可控硅触发电路中，就是可控硅导通是需要触发信号，用于一些调控电路。
开关二极管用在电压低，电流小，频率稍高的信号控制电路中，如：CPU外围电路，控制电路的通断，可以用于钳位电路。
发光二极管起发光作用，如指示灯