RF高频腔设计(4)

3.5 pillbox Cavity

从之前的知识我们可以知道,在空心的波导中,电磁场的模式是“离散”的,只有特定模式能够传播,并且与波导的几何形状和尺寸相关。

在RF高频腔设计(2)中,从传播常数k的图中可以看到传播常数k是连续的。

如果在波导的前后加上封闭的导体,则波导就变成了腔。此时传播常数也同样会变成离散的。

k对应着频率,因此腔中的频率也是离散的。

换句话说,在RF高频腔中只存在离散频率的稳定的电磁场。

这些离散的频率称为特征频率。

以矩形波导截断为“鞋盒”形状的腔为例:
离散的角频率满足如下等式:
ω m , n , p c = ( m π a ) 2 + ( n π b ) 2 + ( p π ℓ ) 2 \frac{\omega_{m,n,p}}{c}=\sqrt{\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2+\left(\frac{n\pi}{b}\right)^2+\left(\frac{p\pi}{\ell}\right)^2} cωm,n,p=(a)2+(b)2+(pπ)2
圆形波导截断后就是pillbox腔,它的TM模式的角频率满足如下等式:
ω m , n , p c = ( χ m , n a ) 2 + ( p π ℓ ) 2 \frac{\omega_{m,n,p}}{c}=\sqrt{\left(\frac{\chi_{m,n}}{a}\right)^2+\left(\frac{p\pi}{\ell}\right)^2} cωm,n,p=(aχm,n)2+(pπ)2
pillbox的名称可以看出它的轴向长度比较短。
当m=p=0,n=1则为TM010模式。

基模TM010的pillbox腔的轴向长度 l < 2.03076 R l<2.03076R l<2.03076R

频率为:
ω 0 , pillbox c = χ 01 a ≈ 2.40483 a \frac{\omega_{0,\text{pillbox}}}{c}=\frac{\chi_{01}}{a}\approx\frac{2.40483}{a} cω0,pillbox=aχ01a2.40483

TM010的pillbox电场和磁场为:
E z = 1 j ω 0 ε 0 χ 01 a 1 π J 0 ( χ 01 ρ a ) a J 1 ( χ 01 ) , B φ = μ 0 1 π J 0 ( χ 01 ρ a ) a J 1 ( χ 01 ) E_{z}=\frac{1}{j\omega_{0}\varepsilon_{0}}\frac{\chi_{01}}{a}\sqrt{\frac{1}{\pi}}\frac{J_{0}\left(\chi_{01}\frac{\rho}{a}\right)}{aJ_{1}(\chi_{01})},\quad B_{\varphi}=\mu_{0}\sqrt{\frac{1}{\pi}}\frac{J_{0}\left(\chi_{01}\frac{\rho}{a}\right)}{aJ_{1}(\chi_{01})} Ez=jω0ε01aχ01π1 aJ1(χ01)J0(χ01aρ),Bφ=μ0π1 aJ1(χ01)J0(χ01aρ)

TM010的截止频率也就是圆波导的TM01的截止频率。

下面是理想的pillbox腔怎么演变为实际的pillbox腔
pillbox_dev
理想的pillbox腔 --> 添加束流管道 --> 在束流管道和pillbox的腔交界处添加圆角(削弱交界处过大的场强)

当然大多数实际的腔并不像pillbox腔,但它们通常都是轴向对称的,并且有一个束流管道。

下面是一个re-entrant腔的四分之一的横截面图和它的基模。
re-entrant
pillbox腔的形状比较简单,因此我们可以通过计算得到pillbox腔的电磁场,但是通常情况下我们是很难计算高频腔电磁场的解析解,通常我们通过super fish、HFSS或者CST microwave studio等仿真工具计算它们的数值解。

3.6 加速电压

加速电压被定义:沿着粒子轨道的轴向电场的积分:
V a c c = ∫ E z e − j ω z β c d z V_{\mathrm{acc}}=\int\limits_{}^{}E_{z}\mathrm{e}^{-j\frac{\omega z}{\beta c}}\mathrm{d}z Vacc=Ezejβcωzdz

其中 β c \beta c βc为粒子的速度,c为光速。

上述的加速电压的公式考虑到了粒子的速度为有限速度,因此它在加速间隙中加速时,由于它的速度是有限的,而加速场也是随时间变化的,因此它在每个点看到加速电场是略有不同的,上面公式的指数项说明了这种变化。

那么假如有一个速度无限大的粒子,那么它穿过加速间隙时看到的加速场就是恒定的。
因此我们定义一个渡越时间因子(Transit Time):
T T = ∣ ∫ E z e − j ω z β c d z ∣ ∫ ∣ E z ∣ d z TT=\frac{\left|\int_{}^{}E_{z}\mathrm{e}^{-j\frac{\omega z}{\beta c}}\mathrm{d}z\right|}{\int_{}^{}\left|E_{z}\right|\mathrm{d}z} TT=Ezdz Ezejβcωzdz

其中分母部分是一个速度无限大的粒子穿过时获得的加速电压。

计算Pillbox的TT因子为:
T T pillbox = ∣ sin ⁡ ( χ 01 ℓ 2 a ) ∣ χ 01 ℓ 2 a TT_{\text{pillbox}}=\frac{\left|\sin\left(\frac{\chi_{01}\ell}{2a}\right)\right|}{\frac{\chi_{01}\ell}{2a}} TTpillbox=2aχ01 sin(2aχ01)
其中 χ 01 \chi_{01} χ01为0阶贝塞尔函数的第一个零点,对应TM010模式。

l l l是腔的加速间隙的长度。

从公式中我们可以看到,如果 l l l趋于无穷小,则 sin ⁡ ( χ 01 ℓ 2 a ) ≈ χ 01 ℓ 2 a \sin\left(\frac{\chi_{01}\ell}{2a}\right) \approx \frac{\chi_{01}\ell}{2a} sin(2aχ01)2aχ01,因此 T T p i l l b o x = 1 TT_{pillbox}=1 TTpillbox=1。也就是说粒子穿越时间无穷小,此时和速度无穷大的虚拟粒子获得的加速电压是一样的。
将上面的公式上下同时除以 β λ \beta \lambda βλ则有
T T pillbox = ∣ sin ⁡ ( χ 01 ℓ 2 a β λ ) ∣ χ 01 ℓ 2 a β λ TT_{\text{pillbox}}=\frac{\left|\sin\left(\frac{\chi_{01}\ell}{2a\beta \lambda}\right)\right|}{\frac{\chi_{01}\ell}{2a\beta \lambda}} TTpillbox=2aβλχ01 sin(2aβλχ01)
β λ \beta \lambda βλ表示相对速度与波长的乘积
相对速度是粒子速度与光速即电磁波速度的比值。

可以这么理解,一个人在A列车上看另一个坐在光速的B列车上的另一个人的表演,表演的时长为加速场的波长,如果两列车都是光速,则他可以完整地看完表演,则粒子看到的波长为加速场本来的波长,如果A列车的速度小于光速,则他不能看完整个表演,也就是粒子看到的波长要比加速场原本的波长要短。

这个乘积的意义可以用来表征粒子看到加速场的相移。

因此我们可以绘制出TT时间因子相对于腔长与相移比的曲线。

TT
从图中可以看到,当 l β λ = 1 、 2 、 3... \frac{l}{\beta \lambda}=1、2、3... βλl=123...时,表示粒子经历了加速场的整数倍的一个周期的相位变化,即粒子在腔中经历的加速时间和减速时间相等,此时渡越时间因子为0,即粒子获得的加速电压为0。

3.7 腔的储能

高频腔中的电场和磁场的相位相差90°,能量不断地在电能和磁能之间交换,因此就平均而言,电能和磁能是相等的。
下面是单个模式的能量表达式:
W = W E + W M = ∭ ε 2 ∣ E ∣ 2 d V + ∭ μ 2 ∣ H ∣ 2 d V W=W_{\mathrm{E}}+W_{\mathrm{M}}=\iiint\frac{\varepsilon}{2}|E|^{2}\mathrm{d}V+\iiint\frac{\mu}{2}|H|^{2}\mathrm{d}V W=WE+WM=2εE2dV+2μH2dV

定义 R 比 Q (R upon Q)
R Q = ∣ V a c c ∣ 2 2 ω 0 W \frac{R}{Q}=\frac{|V_{\mathrm{acc}}|^2}{2\omega_0W} QR=2ω0WVacc2

R Q \frac{R}{Q} QR应该看作一个独立的属性变量,而不应该从它的名称意会为其它属性变量的派生变量。

这是因为 R Q \frac{R}{Q} QR仅仅与腔体的形状相关。

考虑最简单的情况,理想的pillbox腔的R/Q可以根据其电场和磁场的方程计算它的解析表达式,步骤如下:
pillbox的电磁场方程为
E z = 1 j ω 0 ε 0 χ 01 a 1 π J 0 ( χ 01 ρ a ) a J 1 ( χ 01 ) , B φ = μ 0 1 π J 0 ( χ 01 ρ a ) a J 1 ( χ 01 ) E_{z}=\frac{1}{j\omega_{0}\varepsilon_{0}}\frac{\chi_{01}}{a}\sqrt{\frac{1}{\pi}}\frac{J_{0}\left(\chi_{01}\frac{\rho}{a}\right)}{aJ_{1}(\chi_{01})},\quad B_{\varphi}=\mu_{0}\sqrt{\frac{1}{\pi}}\frac{J_{0}\left(\chi_{01}\frac{\rho}{a}\right)}{aJ_{1}(\chi_{01})} Ez=jω0ε01aχ01π1 aJ1(χ01)J0(χ01aρ),Bφ=μ0π1 aJ1(χ01)J0(χ01aρ)
代入能量表达式,再代入加速电压的表达式,最后将pillbox的能量表达式和加速电压表达式代入R/Q的表达式得到pillbox的R/Q的解析解如下:
R Q pillbox = 4 η χ 01 3 π J 1 2 ( χ 01 ) sin ⁡ 2 ( χ 01 2 ℓ a ) ℓ a \frac{R}{Q}_{\text{pillbox}}=\frac{4\eta}{\chi_{01}^{3}\pi J_{1}^{2}(\chi_{01})}\frac{\sin^{2}\left(\frac{\chi_{01}}{2}\frac{\ell}{a}\right)}{\frac{\ell}{a}} QRpillbox=χ013πJ12(χ01)4ηasin2(2χ01a)

其中 η = μ 0 ε 0 = 376.73 Ω \eta=\sqrt{\frac{\mu_{0}}{\varepsilon_{0}}}=376.73\Omega η=ε0μ0 =376.73Ω,定义为自由空间的波阻抗。

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### 回答1: RF集成电路设计RF IC Design)是指用于射频(射频)信号处理的集成电路的设计过程。射频信号通常具有高频率和宽频带的特点,要求电路设计能够在这些频率范围内实现高效的信号处理和传输。 RF集成电路设计的目标是在满足特定的射频性能要求的同时,尽量减小电路的功耗和面积。为了实现这一目标,设计者需要考虑如下几个方面: 首先,设计者需要选择合适的射频器件和元器件,如低噪声放大器、混频器、振荡器等。这些器件在集成电路中的正确选择和布局对整体电路的性能至关重要。 其次,设计者需要优化电路的拓扑结构和参数设置。这包括对放大器的增益、带宽和稳定性进行优化,对混频器和振荡器进行相位噪声和频率稳定度的优化等。 此外,设计者还需要考虑电路的抗干扰和抗干扰能力。RF集成电路通常会面临来自其他电路、交流电源、信号传输线等方面的电磁干扰,设计者需要采取相应的措施来保证电路的正常工作。 最后,设计者还需要考虑电路的功耗和面积。射频信号处理通常需要较高的功率,为了减小功耗,设计者可以选择低功耗的器件和电路结构,并优化电路的布局和布线来减小电路的面积。 总的来说,RF集成电路设计是一个复杂而关键的过程,需要设计者具备深厚的射频电路知识和技术,并结合实践经验来优化电路设计,以实现高效的射频信号处理和传输。 ### 回答2: RF集成电路设计PDF是一种电子文档格式,用于记录和分享RF集成电路设计的相关知识和技术。RF集成电路设计是指在射频领域中设计和开发集成电路的过程。射频领域涉及到无线通信、雷达、卫星通信等高频信号处理和传输的应用。 RF集成电路设计PDF文件中通常包含了设计流程、设计原理、设计方法和设计实例等方面的内容。通过阅读和理解这些PDF文件,设计工程师可以了解到RF集成电路设计的基本原理和方法,从而更好地进行电路设计和开发工作。 此外,RF集成电路设计PDF还可以作为教材或学习资料,用于培训和学习射频电路设计的相关知识。对于学生和刚入行的工程师来说,通过阅读和学习这些PDF文件,可以获得实践经验和理论知识,提高自己的设计能力和水平。 总之,RF集成电路设计PDF是传播和分享RF集成电路设计知识的一种重要形式,对于电路设计工程师和学习者都具有重要意义。通过广泛阅读和研究这些PDF文件,可以提高设计能力,推动RF集成电路设计领域的发展。 ### 回答3: RF集成电路设计是指针对射频(Radio Frequency)信号的特殊要求进行的电路设计RF集成电路设计通常涉及射频前端电路、功率放大器、混频器、频率合成器等关键部件的设计。 首先,RF集成电路设计需要考虑信号的高频特性和噪声特性。由于射频信号具有高频率和宽带特点,设计时必须注意保持信号的频率响应和增益的稳定性,并充分考虑信号的信噪比要求以降低噪声对信号质量的影响。 其次,RF集成电路设计需要注意功率传递和电磁兼容性。射频信号的损耗较大,因此电路设计时需要考虑合适的匹配网络和功率放大器,以确保信号的有效传输和功率放大。同时,还需要注意电磁兼容性,避免射频电路对附近的其他电路或系统产生干扰。 此外,RF集成电路设计还需要关注封装和布线的特殊要求。射频信号的高频特性对封装和布线提出了更高的要求,需要使用特殊材料和技术来降低信号的损耗和干扰。对于高频芯片的封装和布线,需要按照特定的规范和标准进行设计和制造。 总之,RF集成电路设计是一项复杂的工作,需要综合考虑信号特性、功率传递、电磁兼容性和封装布线等因素。通过合理的设计和有效的优化,可以实现高效、稳定和可靠的射频信号处理和传输。

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