运算放大器1-内部构造及工艺特点

一、运算放大器内部构造

1. 集成运算放大器(简称集成运放)它的类型很多电路也不一样，但结构具有共同之处，下图运放基本结构。

                                                    图一、为运放的基本结构

1. 集成运放的组成及特点

        集成运放的内部组成如下

（1）输入级：由晶体管差分放大电路组成，利用它的电路对称性能消除零点漂移和抑制干扰可提高整个电路的性能（主要为失调电压和电流）。

（2）偏置电路：电流源电路，作为各个放大级提供合适的偏置电流，使其具有合适的静态的工作点。

（3）中间级：由晶体管共射级放大电路组成，它可由一级或多级晶体管放大电路组成使其能提供足够高电压增益要求。

（4）输出级：由晶体管互补对称放大电路组成，输出级电压增益为1，但能为负载提供一定的功率，负载能力强输出电阻小。

集成运放的特点：

（1）相邻元器件的特性一致性好：集成电路中其所有的元器件处于同一芯片上，相互非常接近，制造工艺和环境温度也都相同。虽然元器件参数的精度不高，其性能比较一致，或者说元器件的对称性较好，容易制成两个特性相同的管子或两个阻值相同的电阻，其温度特性也一样，因而相邻元器件的特性一致性好。

（2）用有源器件代替无源器件：集成电路中的电阻元件是由半导体体电阻形成，由于芯片面积的限制不可能制作较大阻值的电阻，因而较大阻值的电阻都采用三极管或场效应管组成的有源负载来代替。

（3）二极管大多由三极管构成：集成电路中制造三极管比较方便，如将三极管的集电极与基极短路，利用发射结制作普通的二极管；将三极管的发射极与基极短路，利用反偏的集电结制作齐纳稳压管。

（4）只能制作小容量的电容：集成电路中电容元件由半导体PN结的结电容形成，其大小也受芯片面积的限制，只能制作几十皮法的小容量的电容。为节省芯片面积，不宜采用大电容元件，一般尽量不用或少用电容元件。同时集成电路工艺不能直接制作电感元件。因此，集成电路各级间采用直接耦合。

（5）采用复合管：集成电路中的三极管，有时采用复合管结构，以改善其性能。

二、运算放大器工艺特点

1、级间采用直接合方式，利用对称结构改善电路性能。

2、电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。

3、几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成大电容要外接。

4、二极管一般用三极管的发射结构成。