Stm32H7XX GCC下分散加载实现

Stm32H7XX GCC下分散加载实现

STM32H750XBHT这块单片机,里面有五块内存区:

TCM 区

速度: 400MHz。
DTCM 地址: 0x2000 0000, 大小 128KB。
ITCM 地址: 0x0000 0000, 大小 64KB。

AXI SRAM 区

位于 D1 域, 数据带宽是 64bit, 挂在 AXI 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB
主控不能访问,其它都可以访问此 RAM 区。
速度: 200MHz。
地址: 0x2400 0000, 大小 512KB。
用途:用途不限,可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

SRAM1, SRAM2 和 SRAM3 区,这三块都位于D2区

位于 D2 域, 数据带宽是 32bit, 挂在 AHB 总线上。 除了 D3 域中的 BDMB
主控不能访问这三块 SRAM,其它都可以访问这几个 RAM 区。
速度: 200MHz。
SRAM1: 地址 0x3000 0000, 大小 128KB, 用途不限,可用于 D2 域中的 DMA
缓冲, 也可以当D1 域断电后用于运行程序代码。
SRAM2:地址 0x3002 0000, 大小 128KB, 用途不限,可用于 D2 域中的 DMA
缓冲,也可以用于用户数据存取。
SRAM3:地址 0x3004 0000, 大小 32KB, 用途不限, 主要用于以太网和 USB 的缓冲。

SRAM4 区

位于 D3 域, 数据带宽是 32bit,挂在 AHB 总线上,大部分主控都能访这块 SRAM 区。
速度: 200MHz。
地址: 0x3800 0000, 大小 64KB。
用途:用途不限,可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲,也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby
待机方式后, 继续保存用户数据。

Backup SRAM 区

备份 RAM 区, 位于 D3 域, 数据带宽是 32bit,挂在 AHB 总线上,大部分主控都能
访问这块 SRAM区。
速度: 200MHz。
地址: 0x3880 0000, 大小 4KB。
用途:用途不限, 主要用于系统进入低功耗模式后, 继续保存数据(Vbat 引脚外接电池)。

既然有这么多快内存区域,那么我们在使用gnu环境下应该怎么使用各块区域的内存呢?
这里就要使用“分散加载法”。

打开STM32H7的链接脚本:

MEMORY
{
  DTCMRAM    (xrw)    : ORIGIN = 0x20000000,   LENGTH = 128K
  ITCMRAM    (xrw)    : ORIGIN = 0x00000000,   LENGTH = 64K
  RAM_D1    (xrw)    : ORIGIN = 0x24000000,   LENGTH = 512K
  RAM_D2    (xrw)    : ORIGIN = 0x30000000,   LENGTH = 288K
  RAM_D3    (xrw)    : ORIGIN = 0x38000000,   LENGTH = 64K
  FLASH    (rx)    : ORIGIN = 0x8000000,   LENGTH = 128K
}

链接脚本中已经给我们定义好了各个内存区块,可以看到跟我们前面介绍的是一样的。
那么怎么使用呢?
先抛出一个问题,我们之前在写stm32代码的时候,定义的全局变量会保存在哪里?
答案是全局区,那这个全局区到底在哪?
链接脚本会告诉我们:

  /* Initialized data sections into "RAM_D1" Ram type memory */
  .data : 
  {
    . = ALIGN(4);
    _sdata = .;        /* create a global symbol at data start */
    *(.data)           /* .data sections */
    *(.data*)          /* .data* sections */

    . = ALIGN(4);
    _edata = .;        /* define a global symbol at data end */
    
  } >RAM_D1 AT> FLASH

可以看到我们定义的全局变量会保存在RAM_D1区域。
所以我们要将这些内存区域定义成相关的sectin。加到ld文件中
写法如下:

/*************************************************************************************************
** DEFINE DTCMRAM RAM_D2 RAM_D3
** WE CAN USE THESE RAM LIKE THIS:
** uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));
*************************************************************************************************/
  .dtcmram :
  {
    . = ALIGN(4);
    *(.data)           /* .data sections */
    *(.data*)          /* .data* sections */
    . = ALIGN(4);
  } >DTCMRAM AT> FLASH

  .ramd2 :
  {
    . = ALIGN(4);
    *(.data)           /* .data sections */
    *(.data*)          /* .data* sections */
    . = ALIGN(4);
  } >RAM_D2 AT> FLASH

    .ramd3 :
  {
    . = ALIGN(4);
    *(.data)           /* .data sections */
    *(.data*)          /* .data* sections */
    . = ALIGN(4);
  } >RAM_D3 AT> FLASH

加好之后,我们就可以指定全局变量定义在哪一块ram中了。

uint8_t mpudata[128] __attribute__((section(".dtcmram")));

可以打印一下该数组的地址,位于DTCMRAM 区。定义到其他几个区也是一样的写法。
所谓分散加载法,其实就是用Ld文件指定数据到目标存储区域。

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