STM32G0 FLASH驱动要点

最新推荐文章于 2024-08-30 11:39:37 发布
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文章标签： stm32 嵌入式硬件 单片机 c语言
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43624575/article/details/134857910
版权

项目场景：

        在使用STM32G0B1这款MCU时，使用FLASH模拟片内EEPROM的功能，选择了一个2k的页存储一些系统参数。

问题描述

        在调试功能时，操作FLASH经常失败，更有时会导致HardFault。废话不说直接上代码。

擦除代码：

/**
 * @brief 擦除页
 * 
 * @param address 起始地址
 * @param addr_len 地址长度，注：单位为字节
 * @return uint8_t FLASH_RTN_OK：擦除成功； 
 *                 其他值：擦除失败
 */
uint8_t BSP_EraseFlashPages(uint32_t address, uint32_t addr_len)
{
    FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    uint32_t SectorError, addr_end;
    uint8_t rtn = FLASH_RTN_OK;

    addr_end = address + addr_len - 1;
    if (address < ADDR_FLASH_BANK_1 || address > ADDR_FLASH_END || 
        addr_end < ADDR_FLASH_BANK_1 || addr_end > ADDR_FLASH_END)
    {
        return FLASH_RTN_ERROR; // 地址不在规定范围内
    }
    
    if(address < ADDR_FLASH_BANK_2 && addr_end >= ADDR_FLASH_BANK_2) // 跨bank擦除
    {
        FlashEraseInit.Banks        = FLASH_BANK_1;
        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= ((address - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048); // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= 127 - FlashEraseInit.Page + 1;
        
        HAL_FLASH_Unlock();	//解锁
        if (HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit, &SectorError) != HAL_OK)
        {
            rtn = FLASH_RTN_ERASE_ERROR;
            //发生错误了
            HAL_FLASH_Lock();           //上锁
            return rtn;
        }
        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成

        FlashEraseInit.Banks        = FLASH_BANK_2;
        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= 0; // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= ((addr_end - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048) - 127;
        if (HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit, &SectorError) != HAL_OK)
        {
            rtn = FLASH_RTN_ERASE_ERROR;
            //发生错误了
        }
        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成

        HAL_FLASH_Lock();           //上锁
        return rtn;
    }
    else // 同BANK擦除
    {
        // 判断地址所在bank
        if(address >= ADDR_FLASH_BANK_2) 
        {
            FlashEraseInit.Banks    = FLASH_BANK_2;	// 要擦除的块
        } 
        else
        {
            FlashEraseInit.Banks    = FLASH_BANK_1;
        } 

        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= ((address - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048); // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= ((addr_end - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048) - FlashEraseInit.Page + 1;
        
        HAL_FLASH_Unlock();	//解锁
        if (HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit, &SectorError) != HAL_OK)
        {
            rtn = FLASH_RTN_ERASE_ERROR;
            //发生错误了
        }

        FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
        HAL_FLASH_Lock();           //上锁
        return rtn;
    }
	
}

写入代码：

/**
 * @brief 从指定的Flash地址写入数据，按双字写入
 * 
 * @param writeAddr Flash写入起始地址
 * @param pBuffer 写入缓冲区首指针，内存地址必须8字节对其
 * @param ByteToWrite 要写的字节个数，注意是字节个数
 * @return uint8_t FLASH_RTN_OK：写入成功； 其他值：写入失败
 */
uint8_t BSP_WriteFlashDoubleWord(uint32_t writeAddr, uint64_t *pBuffer, uint32_t ByteToWrite)
{
    HAL_StatusTypeDef FlashStatus = HAL_OK;
    uint32_t          addrx = 0;
    uint32_t          endaddr = 0;
    uint8_t           rtn = FLASH_RTN_OK;

    //非法地址
    if (writeAddr < STM32_FLASH_BASE || writeAddr % 4)
    {
        return FLASH_RTN_ERROR;
    }
    if (((uint32_t)pBuffer & 7) != 0)
    {
        return FLASH_RTN_ERROR;
    }
    addrx   = writeAddr;                 //写入的起始地址
    endaddr = writeAddr + ByteToWrite;   //写入的结束地址

    FlashStatus = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);          //等待上次操作完成

    HAL_FLASH_Unlock();                  //解锁
    if (FlashStatus == HAL_OK)
    {
        addrx = writeAddr;
        while (addrx < endaddr) //写数据
        {
            if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addrx, *pBuffer) != HAL_OK) //写入数据
            {
                HAL_FLASH_Lock();           //上锁
                return FLASH_RTN_WRITE_ERROR;//写入异常
            }
            addrx   += sizeof(typeof(*pBuffer));
            pBuffer += 1;
        }
    }
    HAL_FLASH_Lock();           //上锁
    return rtn;
}

原因分析：

        这段代码是参考之前的STM32F4的代码，怀疑是F4和G0的flash操作有差异，可能有些时序有误，导致了hardfault。于是翻出了G0的手册阅读了flash章节，发现确实是由于操作差异导致了问题，下面就详细展开说明。

  1. G0只提供了两种写入方式：双字写入和快速写入（32 double words = 256 bytes），除此之外的写入都被视为非法操作，会引起SR寄存器错误标志位置位。
  2. 由于写入方式限制，导致SR寄存器可能在当前操作前已经出现错误标志位，手册里也对时序做出明确规定，先清除由于之前操作引起的错误标志位，再执行本次flash操作。

        基于以上两点，手册对flash操作进行了详细说明：

页擦除：

        擦除步骤：

        1）解锁FLASH

        2）等待SR->BSY1 和 SR->BSY2为0

        3）检查并清除所有的错误标志位，尤其是SR->PGSERR

        4）以上步骤都通过后，才可以进行擦除操作

        HAL库的源码已经对以上的操作进行了一些封装：

 

        1、擦除前先判断BSY1和BSY2， 如果置位，直接返回HAL_TIMEOUT。程序应对返回值进行判断，返回值是HAL_TIMEOUT并且*PageError未被修改，表示flash正在操作，需等待。

        2、判断错误标志位，有则清除并返回HAL_ERROR，程序应对返回值进行判断，返回值是HAL_ERROR并且*PageError未被修改，表示之前flash操作有误，但已经将错误标志位清除，可以重新进行擦除操作。

          前面判断无问题，flash空闲并且也无错误发生。执行擦除操作，返回值是HAL_ERROR或者HAL_TIMEOUT，并且*PageError不是0xFFFFFFFF则代表擦除失败的页标号，反之则擦除成功。

写入：

        写入步骤：

        1）写过的地址不可以写入非0数据。

           （全写0代表此区域废除->flash均衡算法，写满一页再擦除）

        2）字节或半字写入会导致SIZERR，地址未8字节对齐导致PGAERR

        3）等待SR->BSY1 和 SR->BSY2为0

        4）检查并清除所有的SR寄存器内的错误标志位

        5）执行写操作

        源码：

        1、先判断BSY1和BSY2， 如果置位，直接返回HAL_TIMEOUT。程序应对返回值进行判断，返回值是HAL_TIMEOUT，表示flash正在操作，需等待。

        2、判断错误标志位，有则清除并返回HAL_ERROR，程序应对返回值进行判断，返回值是HAL_ERROR，表示之前flash操作有误，但已经将错误标志位清除，可以重新进行写入操作。

FLASH操作时间

        另外查看datasheet还可以知道页擦除的时间最长可以去到40ms，时间上也要注意。

        由此已经解释清除了G0片内flash的操作时序，参照正确的时序修改代码应该就可以解决问题。

解决方案：

按照上述时序优化flash驱动代码。

 定义返回值，可以精准分析具体的出错原因。

// 返回值
#define FLASH_RTN_OK             	0x00	// OK
#define FLASH_RTN_PARA_ERROR        0x01    // 参数错误
#define FLASH_RTN_UNLOCK_ERROR	    0x02	// 解锁失败
#define FLASH_RTN_LOCK_ERROR		0x04	// 上锁失败
#define FLASH_RTN_ERASE_ERROR    	0x08	// 擦除错误
#define FLASH_RTN_WRITE_ERROR    	0x10	// 写错误
#define FLASH_RTN_BSY			    0x20	// flash busy
#define FLASH_RTN_SR_ERROR		    0x40	// SR错误标志置位

擦除：


/**
 * @brief 锁定flash
 * 
 */
static uint8_t flash_lock_private(void)
{
	if(HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK)          //上锁
	{
		return FLASH_RTN_LOCK_ERROR;
	}
	return FLASH_RTN_OK;
}

/**
 * @brief 擦除flash
 * 
 */
static uint8_t flash_erase_private(FLASH_EraseInitTypeDef *herase, uint32_t *hpage)
{
	uint8_t i, rtn = FLASH_RTN_OK;
	HAL_StatusTypeDef ret;
	
	*hpage = 0xFFFFFFFF;
	for(i = 0; i < 2; i++) // 操作两次，防止第一次由于之前的flash操作失败导致报错
	{
		ret = HAL_FLASHEx_Erase(herase, hpage);
		if(ret == HAL_OK)
		{
			rtn |= FLASH_RTN_OK;
			break;
		}
		else if(i == 0 && ret == HAL_ERROR && *hpage == 0xFFFFFFFF)
		{
			// 首次出现ERROR，由于之前的操作失败导致报错
			// HAL_FLASHEx_Erase()会清除SR寄存器的错误标志，重试第二次
			continue; 
		}
		else
		{
			if(ret == HAL_TIMEOUT)
			{
				rtn |= FLASH_RTN_BSY;
			}
			else if(ret == HAL_ERROR)
			{
				rtn |= FLASH_RTN_SR_ERROR;
			}
			
			if(*hpage != 0xFFFFFFFF)
				rtn |= FLASH_RTN_ERASE_ERROR;

			break;
		}
	}
	
	return rtn;
}
/**
 * @brief 擦除页
 * 
 * @param address 起始地址
 * @param addr_len 地址长度，注：单位为字节
 * @return uint8_t FLASH_RTN_OK：擦除成功； 
 *                 其他值：擦除失败
 */
uint8_t BSP_EraseFlashPages(uint32_t address, uint32_t addr_len)
{
    FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
    uint32_t SectorError, addr_end;
    uint8_t rtn = FLASH_RTN_OK;

    addr_end = address + addr_len - 1;
    if (address < ADDR_FLASH_BANK_1 || address > ADDR_FLASH_END || 
        addr_end < ADDR_FLASH_BANK_1 || addr_end > ADDR_FLASH_END)
    {
        return FLASH_RTN_PARA_ERROR; // 地址不在规定范围内
    }
    
	if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)	//解锁
	{
		return FLASH_RTN_UNLOCK_ERROR;
	}
	
    if(address < ADDR_FLASH_BANK_2 && addr_end >= ADDR_FLASH_BANK_2) // 跨bank擦除
    {
        FlashEraseInit.Banks        = FLASH_BANK_1;
        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= ((address - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048); // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= 127 - FlashEraseInit.Page + 1;
        if((rtn = flash_erase_private(&FlashEraseInit, &SectorError)) != FLASH_RTN_OK)
		{
			rtn |= flash_lock_private(); // 上锁
			return rtn;
		}
        
        FlashEraseInit.Banks        = FLASH_BANK_2;
        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= 0; // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= ((addr_end - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048) - 127;
		rtn = flash_erase_private(&FlashEraseInit, &SectorError);
    }
    else // 同BANK擦除
    {
        // 判断地址所在bank
        if(address >= ADDR_FLASH_BANK_2) 
        {
            FlashEraseInit.Banks    = FLASH_BANK_2;	// 要擦除的块
        } 
        else
        {
            FlashEraseInit.Banks    = FLASH_BANK_1;
        } 

        FlashEraseInit.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_PAGES;     // 页擦除
        FlashEraseInit.Page       	= ((address - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048); // 起始页
        FlashEraseInit.NbPages    	= ((addr_end - ADDR_FLASH_BANK_1) / 2048) - FlashEraseInit.Page + 1;
		rtn = flash_erase_private(&FlashEraseInit, &SectorError);
    }
	
	rtn |= flash_lock_private(); // 上锁
	return rtn;
}

写入：


/**
 * @brief 从指定的Flash地址写入数据，按双字写入
 * 
 * @param writeAddr Flash写入起始地址，写入起始地址必须8字节对齐
 * @param pBuffer 写入缓冲区首指针
 * @param ByteToWrite 要写的字节个数，注意是字节个数，必须是8的整倍数
 * @return uint8_t FLASH_RTN_OK：写入成功； 其他值：写入失败
 */
uint8_t BSP_WriteFlashDoubleWord(uint32_t writeAddr, uint64_t *pBuffer, uint32_t ByteToWrite)
{
	HAL_StatusTypeDef ret;
    uint32_t addrx = 0, endaddr = 0, cnt = 0;
    uint8_t rtn = FLASH_RTN_OK;

    //非法地址
    if (writeAddr < STM32_FLASH_BASE || writeAddr % 8)
    {
        return FLASH_RTN_PARA_ERROR;
    }
//    if (((uint32_t)pBuffer & 7) != 0)
//    {
//        return FLASH_RTN_PARA_ERROR;
//    }
    addrx   = writeAddr;                 //写入的起始地址
    endaddr = writeAddr + ByteToWrite;   //写入的结束地址

	if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)	//解锁
	{
		return FLASH_RTN_UNLOCK_ERROR;
	}
	
	addrx = writeAddr;
	while (addrx < endaddr) //写数据
	{
		if((ret = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addrx, *pBuffer)) != HAL_OK) //写入数据
		{
			if(cnt == 0 && ret == HAL_ERROR)
			{
				// 首次出现ERROR，由于之前的操作失败导致报错
				// HAL_FLASH_Program()会清除SR寄存器的错误标志，重试第二次
				cnt++;
				continue;
			}
			else
			{
				rtn |= FLASH_RTN_WRITE_ERROR;
				break;
			}
		}
		addrx   += sizeof(typeof(*pBuffer));
		pBuffer += 1;
		cnt++;
	}

    rtn |= flash_lock_private(); // 上锁
	return rtn;
}

完善驱动后，问题得到解决，flash操作不再失败，也不会进入hardfault。

总结：        

        总的来说，在使用MCU的时候，还是得查看官方的手册，一切操作以手册为准。本以为ST的外设驱动兼容性会很高，一开始就图省事直接把F4的代码搬过来用了，后面还是得老老实实地读手册扣代码。

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qq_35002379的博客
08-26 798
首先要确认擦除或写FLASH时是否关闭了中断，如果未关闭中断，就有可能出现该问题，建议尝试关闭中断后再测试看是否还有问题。如下宏定义是用于进入和退出临界区的，在写FLASH时调用即可。下面是一个可行的示例代码。
STM32GO中Flash充当EEPROM的操作
qq_45070313的博客
07-18 6927
STM32GO中Flash充当EEPROM的操作 之前在学校的时候一直使用的是STM32F1的芯片，本月找了一份工作，安排下来的任务是写一个传感器的程序，程序比较简单，主要分为了两个部分： - 在Flash中找一片区域充当EEPROM的功能，实现初始化数据的存储。 - 使用ADC和DAC功能来实现将输入的信号，按照要求重新规划到规定的电压区间，然后输出。 由于之前一直都是直接使用的外置EEPROM芯片，所以这一次是一个新的学习过程，所以记录一下，废话不多说，正文开始。 选址 要想实现Flash当作EEPR
关于NAND Flash调试的一点总结
韦东山嵌入式专栏
04-15 3233
很久没接触过 nandflash 驱动，最近工作又摸了，于是顺便整理总结一下。nandflash 在我看来算是比较落后的存储设备，所以文章里没有太多细节的东西，更多的是一些开发思路和经验，希望能帮助到有需要的人。 一、了解 nandflash 当前发展状况 什么是 nandflash？ nandflash 由许多保存位( bit )的单元( cell )组成，这些位通过电荷开启或关闭。这些开/关单...
stm32 片上flash用作EEPROM（掉电保存）(绝对可用)
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sunyiming537的专栏
11-15 1万+
一、源码： #if !defined (_FLASH_H) #define _FLASH_H #defineFLASH_ADR0x08010000//要写入数据的地址 #define u8 INT8U #define u16 INT16U #define u32 INT32U union union_temp16 { unsigned int un_temp16; ...
STM32G0 flash eeprom
07-27
如果您对STM32G0系列微控制器的Flash和EEPROM的具体使用有更多的疑问，我建议您查阅STMicroelectronics的官方文档，特别是AN4894文章，以获取更详细的信息\[1\]。请注意，下载该文章可能需要登录ST的账号。 #### ...
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