1、开关二极管是利用二极管的单向导电性,在半导体PN结加上正向偏压后,在导通状态下,电阻很小(几十到几百欧);加上反向偏压后截止,其电阻很大(硅管在100MΩ以上)。利用开关二极管的这一特性,在电路中起到控制电流通过或关断的作用,成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小,反向电阻很大,开关速度很快。
2、肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅(Si)半导体材料制作的。20世纪90年代以来,出现了用砷化镓(GaAs)制作SBD。Si-SBD的特点是:正向压降PN结二极管的UDF低,仅为后者的1/2~1/3;trr约为10ns数量级;适用于低电压(小于50V)的功率电子电路中(当电路电压高于100V以上时,则要选用PIV高的SBD,其正向电阻将增大许多)。
肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。它的特点是反向恢