硬件开发基础知识（二）：开关损耗与缓冲电路

最近在搞射频系统设计，其中要做一个采样保持电路的仿真。采样保持电路里含有多个缓冲放大器，今天就顺便把开关电路的缓冲说一说
理想开关管只有导通和截至两个状态，但实际上这两个状态之间有一个缓冲过程，如图所示，在管子由关断转换成导通状态时，管子上的电压是由最大经过一段时间变成最小的（当然不能为0，因为有导通电阻），同理，电流也是从很小上升的。
那么在两曲线交叠，肯定会产生一个功率损耗，这个损耗就被成为开关损耗。

实际上最糟糕的情况是：
开通阶段，电流先快速从0上升到I1，然后再缓慢上升（这个缓慢是相对于前一阶段而言的）到I2，在第一阶段，管子的Vgs不变。我们能够想象，此时电流曲线和电压曲线的交叠面积最大，也就是损耗功率最大，当然具体的能量损耗还取决于开通时间。
关闭阶段同理，电压也先从0快速上升，而后缓慢上升，我们假设在快速上升过程中电流是不变的，此时电压电流曲线也有最大的交叠面积。

值得庆幸的是，这种情况并不是实际发生的，实际的情况是，无论何种情况，何种阶段，譬如开通阶段，电流的上升和电压的下降是同时发生的

如图，t是交越时间。这里一定不能用平均值来计算，而是要每个点的功率计算出来然后累加（积分）

交越时间内，假设时间长度为t1
那么，t1a=I1，有：

同理，对电压分析，得：

最终得到功率计算公式：

这里fs是开关频率，计算后得到P=1/6VpIpt1*fs
接下来要做的就是估算交越时间t1。

这个我们根据具体mos管datasheet给出的Qg（栅极总电荷量）来计算，那么显然Qg=it，这个i就取决于你的驱动电路的拓扑了。

具体的计算公式是：

其中VCC是你实际驱动电压，Vsp是米勒平台电压（以后的文章会介绍），R1是驱动电阻。

结合上面说的，就可以计算出交越时间，从而计算出开通损耗了。关闭时同理。

既然讲了开关损耗，下面就介绍几种缓冲电路拓扑。（当然这里要插一句，缓冲的作用不止于此，比如还有防止过压、过流等，以便保护电路）

最基本的拓扑如a所示，电感的作用是抑制di/dt，电容的作用则是抑制du/dt.
管子关闭时，电容通过二极管（快速）充电，吸收过多的能量。管子导通时则通过电阻R放电。这是最基本的缓冲电路，也被成为RLCD电路。

对于高工作频率，寄生电容小的管子，则用右边简化过后的RCD电路来进行缓冲。

本期的介绍就到此为止，谢谢观看！

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参考文献：【1】 李倩 开关电源mos开关损耗推导过程！ 电子发烧友
【2】 未知作者 缓冲电路的基本结构 电子发烧友