DDR 内存基础知识（1）

DDR SDRAM ---- Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

 

• RAM随机访问内存----任意访问一个内存地址，其访问时间是一样的。（在RAM产生之前是，是顺序访问存储器，像以前的磁带，现在的硬盘也是顺序访问的，但访问速度快上很多）。
• Dynamic 与其对应的是 Static ----  保存一个比特位，SRAM 需要用到4-6个晶体管，而DRAM只需要一个电容以及一个晶体管。由于电容中保持的电荷会随着时间流逝而放电，DRAM 中保持的信息会逐渐丢失,除非周期性地对电容充电，即重刷新。这也就是 DRAM 中 'D' 的由来，代表 Dynamic，对应于 SRAM （Static Random Access Memory）。
• Synchronous --- CPU 提供一个时钟信号，与内存进行同步。
• DDR 比 SDRAM 吞吐量多一倍，DDR2,DDR3,DDR4同理。

一个Memory Array中由行地址和列地址的交叉选中一个位，若两个Array叠加在一起，就同时选中了两个位，位宽是X2。X4 ，X8同理。多个Array叠加起来构成一个Bank。一个DRAM chip/device 是由多个bank构成的，但是同一时间只能选中一个Bank进行数据传输。