ARM相关知识总结

NAND

读

读取速度快。
NAND Flash有严格的时序要求，需要按照特定时序对NAND FLASH进行读操作。
CPU无法直接对NAND Flash数据进行寻址，需要通过专门的NAND Flash控制器实现数据读取，具体操作为：向特定的NAND Flash控制器（函数）发送读命令->发送地址->判断NAND Flash是否就绪->读取。
数据读命令、发送地址、判断状态、读数据需要通过操作寄存器实现。
相关寄存器：NFCONF：配置寄存器，NFCONT：控制寄存器，NFCMD：命令寄存器，NFADDR：地址寄存器，NFDATA：数据寄存器，NFSTAT：状态寄存器。

写

NAND Flash有严格的时序要求，需要按照特定时序对NAND FLASH进行写操作。
CPU无法直接对NAND Flash数据进行寻址，需要通过专门的NAND Flash控制器实现数据写入，具体操作为：向特定的NAND Flash控制器（函数）发送写命令->发送地址->判断NAND Flash是否就绪->写入。
数据写命令、发送地址、判断状态、读数据需要通过操作寄存器实现。
相关寄存器：NFCONF：配置寄存器，NFCONT：控制寄存器，NFCMD：命令寄存器，NFADDR：地址寄存器，NFDATA：数据寄存器，NFSTAT：状态寄存器。
写入速度较快，写之前需要擦除，因此写只能是1–>0，擦除可以使0->1。

擦除

快（3ms），擦除单元以块为单位

XIP

不可片内运行

可靠性

较低，位反转比较常见，必须有校验措施

接口

I/O接口

可擦除次数

100000-1000000

容量

大，16MB-512MB

价格

低

NOR

读

读取速度快。
可随机访问任意地址的数据。

写

可直接寻址写入
写入速度较慢，写之前需要擦除，写只能是1->0，擦除可以使0->1。

擦除

非常慢（5s）

XIP

可片上运行

可靠性

较高，位翻转的比例小于NAND Flash的10%

接口

与RAM接口相同，地址和数据总线分开

可擦除次数

10000-100000

容量

小，1MB-32MB

主要用途

用于保存代码和关键数据

价格

高