电子元器件

SI7852DP-T1-E3添加链接描述
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 12.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: SI7852DP-E3
单位重量: 506.600 mg