概述
总结红外热传感器的相关性能术语和指标，这里的红外热传感器典型代表有红外热电堆传感器、红外热释电传感器等。
文章目录
- 概述
- 一、背景温度（Background Temperature）
- 二、偏置电压（Bias Voltage）
- 三、暗电流（Dark Current）
- 四、暗电阻（Dark Resistance）
- 五、D-Star (D*)
- 六、负载电阻（Load Resistor）
- 七、电阻率（Resistivity）
- 八、响应度（Responsivity）
- 九、上升时间-下降时间（Rise Time-Fall Time）
- 十、RMS 噪声电压或电流（RMS Noise Voltage or Current）
- 十一、噪声等效功率（Noise-Equivalent-Power，NEP）
- 十二、光电导探测器（Photoconductive Detector）
- 十三、光伏探测器（Photovoltaic detector）
- 十四、RMS 信号电压或电流（RMS Signal Voltage or Current）
- 十五、光谱响应（Spectral Response）
- 十六、时间常数（Time Constant）
一、背景温度（Background Temperature）
探测器观察到的所有辐射源的有效温度，不包括信号源。
二、偏置电压（Bias Voltage）
施加到检测器电路的电压，通常为直流电压；有时称为最佳偏压（optimum bias），用于给出最佳信噪比的值，最大偏压用于产生最大信号电压输出的值，当以反向模式施加到固体晶体探测器的 P-N 结以增加响应速度或增加长波长响应。
三、暗电流（Dark Current）
在没有信号辐射入射到检测器元件的情况下，操作时检测器电路中测得的电流。
四、暗电阻（Dark Resistance）
当没有辐射入射到探测器上时，探测器两端的直流电压与通过探测器的直流电流之比。
五、D-Star (D*)
灵敏度的相对测量，用于比较不同探测器的探测能力。 D* 是辐射功率入射到探测器活动区域时在 1 Hz 带宽的特定电频率下的信噪比。
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