（三）【模电】（第一章 常用半导体器件）晶体三极管

[模电专栏]

A 晶体三极管（BJT）

A.a 晶体管的结构和符号

• 中大功率管为什么有孔？
  增大表面积,利于散热；还便于安装散热装置。

• 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
  

箭头：发射结正偏时实际流过发射结的电流方向
ps：正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致，如NPN管，B、E结，B极电位高于E极电位，就叫正偏，相反则叫反偏！

A.b 晶体管的放大原理

表面上看两个PN结背靠背，不具备放大电流能力。

三极管若实现放大，必须从三极管外部结构所加电源的特性和内部结构来保证。

• 三极管放大的内部结构要求：
  1 发射区高掺杂。
  2 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。
  3 集电结面积大。

• 三极管放大的外部条件：

	发射结正偏	集电结反偏
NPN	$U_B>U_E$	$U_B<U_C$
PNP	$U_B<U_E$	$U_B>U_C$

上图左边为输入端口，右边为输出端口。发射极作为输入输出的公共端，所以称为共射放大电路。

$V_{BB}$：为了使得发射结正偏，能够导通
$V_{CC}$：要比$V_{BB}$大，是为了使得$u_{CB}>0$，使得集电结反偏。

内部图：

外电场：白色大箭头。
扩散运动形成发射极电流$I_E$
复合运动形成基极电流$I_B$
漂移运动（即使基区自由电子数比空穴多，少子依然是自由电子）形成集电极电流$I_C$

定义1：共射极直流电流放大系数$\overline{\beta }$

$\overline{\beta }=\frac{I_{CN}}{I_B^{\prime }}=\frac{I_C-I_{CBO}}{I_B+I_{CBO}}\to I_C=\overline{\beta }{I}_B+(1+\overline{\beta })I_{CBO}=\overline{\beta }{I}_B+I_{CEO}$

其中：$I_{CEO}=(1+\overline{\beta })I_{CBO}$

$I_{CEO}$称为穿透电流，是基极开路时流过集电极和发射极的电流。$I_{CBO}$称为集电结的反向饱和电流，是发射极开路时流过集电极和基极的电流.硅管的这两个电流均很小，在计算中可忽略不计。
一般情况下，$I_B>>I_{CBO},\overline{\beta }>>1$， 故有：

$$\overline{\beta }\approx \frac{I_C}{I_B}(\overline{\beta }>1)$$

定义共射极交流电流放大系数：$\beta =\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}$
***

发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。基极是两个回路的公共端，称这种接法为共基极放大电路。
定义2：$I_{CN}与I_E$之比称为共基直流电流放大系数，即：$\overline{\alpha }=\frac{I_{CN}}{I_E}$
$$I_C=I_{C}N+I_{CBO}=\overline{\alpha }{I}_E+I_{CBO}$$
当$I_{CBO}<<I_C$时，可将其忽略，则：

共基交流放大倍数：
$$\overline{\alpha }=\frac{\Delta i_C}{\Delta i_E}$$

共基电路没有电流放大作用。

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小结：

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A.c 晶体管的共射输入特性和输出特性

A.c.a 输入特性

C、E之间的电压不变时，B、E之间所加的电压与$i_B$之间的关系：$$i_B=f(u_{BE}){|}_{U_{CE}=常数}$$

• 为什么像PN结的伏安特性？
  $U_{CE}$等于0，即短路CE，相当于两个PN结并联。所以像PN结的伏安特性。

• 为什么$U_{CE}$增大曲线右移？
  $U_{CE}$增大，集电极C抢了基极B的电子，抑制$i_B$，所以要增大$u_{BE}$，来增大$i_B$。

• 为什么$U_{CE}$增大到一定值曲线右移就不明显了？
  $U_{CE}$增大，即C收集电子的能力增强，增大到一定程度就饱和了。因此，对于小功率晶体管，$U_{CE}$大于1V的一条输入特性曲线可以取代$U_{CE}$大于1V的所有输入特性曲线。

A.c.b 输出特性

$i_B$不变时，C、E之间所加的电压与I_C之间的关系：
$$i_C=f(u_{CE}){|}_{i_b=常数}$$
对应于一个$I_B$就有一条$i_C$随$u_{CE}$变化的曲线。

• 为什么$u_{CE}$较小时$i_C$随$u_{CE}$变化很大，而进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？
  当$u_{CE}$从零逐渐增大，集电结电场也随着增强，C收集基区电子（非平衡少子）的能力增强，表现就是$i_C$增大，当C收集能力达到饱和时，$i_C$增大就不明显了。
• $\beta$是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下$\beta =\overline{\beta }$?
  不是常量。理想：没有穿透电流，$\beta$处处相等。理想情况下。

晶体管的三个工作区域：

饱和：但$U_{CE}=U_{BE}$，称为临界饱和，$U_{CE}<U_{BE}$，称为过饱和。
晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流$i_C$几乎仅仅决定于输入回路的电流$i_B$，即可将输出回路等效为电流$i_B$控制的电流源$i_C$。

	发射结	集电结	特点
截止	反偏	反偏
放大	正偏	反偏	各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线且等间隔。集电极和基电极电流体现放大作用，即$\Delta i_C=\beta \Delta i_B$
饱和	正偏	正偏	$i_C$不仅与$i_B$有关，而且随$u_{CE}$增大而增大。在饱和区三极管失去放大作用。$i_C\ne \beta i_B$

A.d 温度对晶体管特性的影响

温度升高，集电极电流增大。

A.e 主要参数

• 直流参数：$\overline{\beta }、\overline{\alpha }=\frac{I_C}{I_E}、I_{CBO}、I_{CEO}$
• 交流参数：$\beta 、\alpha 、f_T$(特征频率：使得$\beta =1$的信号频率，使得晶体管丧失放大功能的频率)
• 极限参数：$I_{CM}（最大集电极电流）、P_{CM}（最大集电极耗散功率，P_{CM}=i_C{u}_{CE}）、U_{(BR)CEO}（c-e间击穿电压）$
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图片来源：清华大学公开课 《模拟电子技术基础》 华成英