5、电路综合-超酷-基于S11参数直接综合出微带线电路图

电路综合-超酷-基于S11参数直接综合出微带线电路图

1、电路综合原理与实践—电抗函数的综合原理
2、电路综合原理与实践—正实函数与策动电阻抗函数
3、电路综合原理与实践—单双端口理想微带线(伪)手算S参数与时域波形

之前已经介绍过如何通过电路的微带线结构求解得到其S参数(3、电路综合原理与实践—单双端口理想微带线(伪)手算S参数与时域波形),下面介绍一种特别酷的东西,从微带线的S11参数得到可以将其实现的结构。

从S11参数直接得到微带线电路图是一种叫简化实频的技术,可以用于匹配电路的设计,例如我需要在1GHz将10欧姆匹配至50欧姆,只需要控制1GHz的S11参数在10欧姆处就行(需要先将S参数转化为Z参数)。

1、理查德域S11参数的表达式

此处的S11的参数表达式为理查德域的,可能和我们平时见到的S11的图像一样的格式不太一致,如:
在这里插入图片描述
那么这个式子究竟代表了什么呢?对于无耗的传输线,其可以表达为如下的形式:
在这里插入图片描述
其中beta为相移常数,l为微带线的实际的长度。在下面的分析中,我使用电长度这种间接的表达方法来示意。例如,在1GHz下的电长度为60°的微带线的实际长度为l=ele_l/360*c/f。其中ele_l为电长度(60,单位度),c为光速,f为该电长度所在的频率(1GHz)。

此外,beta=beta=2* pi *freq_solve/c,其中freq_solve为求解的频率(也就是要求解哪个频率的S参数)。这样,对应一个固定的表达式,其S11参数会随着频率发生变化,此外因为lamda是周期函数,最后得到的S11参数也必定是周期的。

对于上面的S11表达式,使用如下的程序绘制其对应的S11参数(其中微带线使用的是1GHz下60度电长度的微带线,对应的实际长度为0.05m,忽略介电常数等等):

clear
close all
clc
%微带线电长度
ele_l=60;
%微带线电长度所在的频率
f=1e9;
%求解频率范围,单位GHz
f_start=0.01;
f_stop=10;
f_step=0.01;

%光速
c=299792458;
%求解范围
freq_solve=[f_start:f_step:f_stop]*1e9;
%计算物理长度,单位m
l=ele_l/360*c/f;
%计算不同频率下的相移常数beta
beta=2*pi*freq_solve/c;
%转换到lamda域
lamda=1j*tan(beta*l);

S11=(lamda.^2+19*lamda)./(lamda.^2+21*lamda+8);

figure
plot(freq_solve/1e9,20*log10(abs(S11)))
xlabel('Frequency(GHz)')
ylabel('dB(S11)')
title('S11')

得到的图片如下所示:
在这里插入图片描述

2、求解理论过程

STEP0:
以上面案例为例:
在这里插入图片描述
结合:
在这里插入图片描述
进而:
在这里插入图片描述
k=1代表级联微带线数为1。

STEP1:把lamda=1带入S11表达式:
在这里插入图片描述
STEP2:计算Zi:
在这里插入图片描述
STEP3:计算K:
在这里插入图片描述
STEP4:计算S:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
STEP5:计算下一级S:
在这里插入图片描述
STEP6:计算阻抗:
在这里插入图片描述

3、电路生成 案例1—开路微带线综合

在更加一般的情况,我们是基于第一部分最后一张图的S11参数去设计匹配电路。我们可以利用S11参数去反推表达式。在此给出一个示例(使用第一部分的表达式为案例):

clear
clc
syms lamda
S11=(lamda.^2+19*lamda)./(lamda.^2+21*lamda+8);
Zin=(1+S11)/(1-S11);

S11_Z0=S11;
Z0=1;
ind=1;

s11_tmp(ind)=subs (S11_Z0,Z0);
for cnt=1:1:2
    if ind==1
        Z(ind)=Z0*(1+s11_tmp(ind))/(1-s11_tmp(ind));
        K(ind)=(Z0-Z(ind))/(Z0+Z(ind));
        S11_Zi(ind)=(K(ind)+S11_Z0)/(1+K(ind)*S11_Z0);
        S111_Zi(ind)=simplify(S11_Zi(ind)*(1+lamda)/(1-lamda));
        ind=ind+1;
    else
        Z(ind)=simplify(Z(ind-1)*(1+S111_Zi(ind-1))/(1-S111_Zi(ind-1)))
        Z(ind)=subs (Z(ind),Z0);
        K(ind)=(Z(ind-1)-Z(ind))/(Z(ind-1)+Z(ind));
        S11_Zi(ind)=(K(ind)+S111_Zi(ind-1))/(1+K(ind)*S111_Zi(ind-1));
        S111_Zi(ind)=simplify(S11_Zi(ind)*(1+lamda)/(1-lamda));
        ind=ind+1;
    end
end
Z

运行结果如下所示:
在这里插入图片描述
表示该阻抗可以使用两个部分组成,第一部分为阻抗为5欧姆的微带线,第二部分为电容和电阻的并联:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
依据解析结果,构建如下的电路原理图:
在这里插入图片描述
运行仿真,仿真结果与理论分析结果一致:
在这里插入图片描述

4、电路生成 案例2—基于策动点阻抗函数综合多微带电路

要综合的输入阻抗函数如下所示(此处t就是lamda):

%                100*t^3 + 50*t^2 + 300*t + 30
%		Z(t) = -------------------------------	
%                9*t^3 + 170*t^2 + 31*t + 30

绘制其对应的S11参数和Zin参数曲线(假定使用频率1GHz下电长度60度的微带线进行实现),使用如下代码:

clear
close all
clc
%微带线电长度
ele_l=60;
%微带线电长度所在的频率
f=1e9;
%求解频率范围,单位GHz
f_start=0.01;
f_stop=10;
f_step=0.01;

%光速
c=299792458;
%求解范围
freq_solve=[f_start:f_step:f_stop]*1e9;
%计算物理长度,单位m
l=ele_l/360*c/f;
%计算不同频率下的相移常数beta
beta=2*pi*freq_solve/c;
%转换到lamda域
lamda=1j*tan(beta*l);

Zin=(100*lamda.^3+50*lamda.^2+300*lamda+30)./(9*lamda.^3+170*lamda.^2+31*lamda+30);
S11=(Zin-1)./(Zin+1);

figure
plot(freq_solve/1e9,(abs(Zin)))
xlabel('Frequency(GHz)')
ylabel('Zin')
title('Zin')

figure
plot(freq_solve/1e9,20*log10(abs(S11)))
xlabel('Frequency(GHz)')
ylabel('dB(S11)')
title('S11')

得到的S11参数和Zin参数结果如下所示:
在这里插入图片描述
使用下面代码进行综合:

clear
clc
syms lamda

Zin=(100*lamda.^3+50*lamda.^2+300*lamda+30)./(9*lamda.^3+170*lamda.^2+31*lamda+30);
S11=(Zin-1)./(Zin+1);


S11_Z0=S11;
Z0=1;
ind=1;

s11_tmp(ind)=subs (S11_Z0,Z0);
for cnt=1:1:4
    if ind==1
        Z(ind)=Z0*(1+s11_tmp(ind))/(1-s11_tmp(ind));
        K(ind)=(Z0-Z(ind))/(Z0+Z(ind));
        S11_Zi(ind)=(K(ind)+S11_Z0)/(1+K(ind)*S11_Z0);
        S111_Zi(ind)=simplify(S11_Zi(ind)*(1+lamda)/(1-lamda));
        ind=ind+1;
    else
        Z(ind)=simplify(Z(ind-1)*(1+S111_Zi(ind-1))/(1-S111_Zi(ind-1)))
        Z(ind)=subs (Z(ind),Z0);
        K(ind)=(Z(ind-1)-Z(ind))/(Z(ind-1)+Z(ind));
        S11_Zi(ind)=(K(ind)+S111_Zi(ind-1))/(1+K(ind)*S111_Zi(ind-1));
        S111_Zi(ind)=simplify(S11_Zi(ind)*(1+lamda)/(1-lamda));
        ind=ind+1;
    end
end
Z

运行结果如下:

在这里插入图片描述
构建ADS仿真验证:
在这里插入图片描述
结果一致:

在这里插入图片描述

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SMA(Super Matching Amplifier)转线S11HFSS仿真是一种电磁仿真方法,常用于无线通信系统和电路设计中。在实际的电路设计过程中,为了保证高频信号在不同的电路部件之间传输的有效性,需要进行电磁仿真来评估各个电路部件的性能。 首先,需要了解SMA转线的基础概念。SMA是一种射频连接器,常用于高频信号传输,具有较低的插损和反射损耗,能够保证高频信号的传输质量。而线是一种通过在介质板上制作导线来传输高频信号的技术,具有较低的传输损耗和较好的耐干扰性能。在设计高频电路时,常常需要将SMA连接器和线相互连接,并需要保证其匹配性能。 S11指的是反射损耗参数,用于评估信号从输入到输端口的反射情况。HFSS是一种常用的电磁仿真软件,可以进行高频电磁场的有限元分析,用于评估高频电路的性能。在S11HFSS仿真中,需要将SMA转线的连接部分进行建模,并使用HFSS进行电场分析和模拟。 通过SMA转线S11HFSS仿真,可以得到各个频段的反射损耗参数,并通过调整电路设计参数,优化电路的匹配性能。通过仿真结果,可以评估电路的性能,并确定是否需要调整电路参数或改进设计。这样可以减少实际制作和测试的时间和成本,提高电路设计的效率和可靠性。 总之,SMA转线S11HFSS仿真是一种用于评估高频电路匹配性能的电磁仿真方法,可以帮助设计师优化电路设计,提高电路的性能和可靠性。

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