simulink和psim仿真结果不同_微带线拐角S参数仿真分析

本文通过仿真对比分析了2.4G频段微带线拐角的三种常见方案:直角、3W规则和45°外斜切,探讨它们对S参数的影响。3W规则在性能和尺寸之间取得平衡,而45°外斜切与双转折方案则在不同方面展现出优势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

本文为本周微波技术基础篇推荐文章,用于指导射频电路设计过程中走线的量化认识,理解不通走线形式下,S参数的差异。

    在射频设计中,阻抗不匹配问题多数是由于结构不连续造成的,优化结构不连续减少信号反射是每一个射频工程师都面临的难题。在微带电路中,由于空间受限,常常需要使用微带线拐角以减少PCB尺寸。在多数文献及通信公司的工艺规范中,一般要求微带线拐角使用“3W规则”,即弯曲半径至少要大于3倍线宽W。


    本文以2.4G频段为例,对3W规则的微带线拐角性能进行了仿真。同时提出了其他几种常见的微带线拐角方案,并分别对其射频性能进行了仿真分析。针对几种方案的仿真结果进行对比分析,并结合实际使用,为不同使用场合提供了不同的方案选用建议。

    微带线是PCB设计中常用的一种平面传输线,在射频电路中被广泛使用。在PCB中,顶面通常是导体,其宽度是W,厚度是PCB铜箔厚度t,中间是PCB板材的介质层,高度是h,相对介电常数是εr,底面是地平面,微带线结构示意图如图1所示。

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    如果微带线是笔直的一段线,其阻抗是连续的,但是在PCB实际布线中,常常需要将微带线进行拐角处理,就会导致信号产生反

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